ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี IRFB9N30A
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Vishay Siliconix - IRFB9N30A คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Vishay Siliconix - IRFB9N30A
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Vishay / Siliconix | |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 4V @ 250µA | |
| Vgs (สูงสุด) | ±30V | |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220AB | |
| ชุด | - | |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 450mOhm @ 5.6A, 10V | |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 96W (Tc) | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-3 | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 920 pF @ 25 V | |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 33 nC @ 10 V | |
| ประเภท FET | N-Channel | |
| คุณสมบัติ FET | - | |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 300 V | |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 9.3A (Tc) | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | IRFB9 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Vishay Siliconix IRFB9N30A
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | IRFB9N30A | IRFBA1405PPBF | IRFBA1404PPBF | IRFB9N65A |
| ผู้ผลิต | Vishay Siliconix | International Rectifier | International Rectifier | Vishay Siliconix |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220AB | SUPER-220™ (TO-273AA) | SUPER-220™ (TO-273AA) | TO-220AB |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-3 | TO-273AA | TO-273AA | TO-220-3 |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Bulk | Bulk | Tube |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 300 V | 55 V | 40 V | 650 V |
| Vgs (สูงสุด) | ±30V | ±20V | ±20V | ±30V |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | 10V | 10V | 10V |
| คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | IRFB9 | - | - | IRFB9N65 |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 9.3A (Tc) | 174A (Tc) | 206A (Tc) | 8.5A (Tc) |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 33 nC @ 10 V | 260 nC @ 10 V | 200 nC @ 10 V | 48 nC @ 10 V |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 96W (Tc) | 330W (Tc) | 300W (Tc) | 167W (Tc) |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA |
| ประเภท FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 920 pF @ 25 V | 5480 pF @ 25 V | 7360 pF @ 25 V | 1417 pF @ 25 V |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 175°C (TJ) | -40°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| ชุด | - | HEXFET® | HEXFET® | - |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 450mOhm @ 5.6A, 10V | 5mOhm @ 101A, 10V | 3.7mOhm @ 95A, 10V | 930mOhm @ 5.1A, 10V |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล IRFB9N30A PDF และเอกสาร Vishay Siliconix สำหรับ IRFB9N30A - Vishay Siliconix
IRFBA1405PPBFInternational RectifierMOSFET N-CH 55V 174A SUPER-220IRFBA1404PPBFInternational RectifierMOSFET N-CH 40V 206A SUPER-220IRFB7740IRIRFB9N65AVishay SiliconixMOSFET N-CH 650V 8.5A TO220ABIRFBA90N20DIR
IRFB812PBFInfineon TechnologiesMOSFET N CH 500V 3.6A TO220ABIRFB830 800/RIRFB9N60APBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 600V 9.2A TO220ABIRFB7746PBFInternational RectifierMOSFET N-CH 75V 59A TO220ABIRFB7787PBFInternational RectifierIRFB7787 - 12V-300V N-CHANNEL POIRFB7740PBF MOSIRIRFB812IRIRFB9N60AVishay SiliconixMOSFET N-CH 600V 9.2A TO220ABIRFB9N65APBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 650V 8.5A TO220ABIRFBA31N50LIRIRFB7N60C3PBFIR
IRFB7740PBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 75V 87A TO220ABIRFBA1405PInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 55V 174A SUPER-220| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที