ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี IRFD9110
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Vishay Siliconix - IRFD9110 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Vishay Siliconix - IRFD9110
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Vishay / Siliconix | |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 4V @ 250µA | |
| Vgs (สูงสุด) | ±20V | |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 4-HVMDIP | |
| ชุด | - | |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 1.2Ohm @ 420mA, 10V | |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 1.3W (Ta) | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 4-DIP (0.300", 7.62mm) | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 200 pF @ 25 V | |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 8.7 nC @ 10 V | |
| ประเภท FET | P-Channel | |
| คุณสมบัติ FET | - | |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 100 V | |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 700mA (Ta) | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | IRFD9110 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Vishay Siliconix IRFD9110
| คุณสมบัติสินค้า |  |
|
|
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | IRFD9110 | IRFD9014 | IRFD9024 | IRFD9110 |
| ผู้ผลิต | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Harris Corporation |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | 10V | 10V | 10V |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 8.7 nC @ 10 V | 12 nC @ 10 V | 19 nC @ 10 V | 8.7 nC @ 10 V |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 4-HVMDIP | 4-HVMDIP | 4-HVMDIP | 4-DIP, Hexdip, HVMDIP |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Vgs (สูงสุด) | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 1.2Ohm @ 420mA, 10V | 500mOhm @ 660mA, 10V | 280mOhm @ 960mA, 10V | 1.2Ohm @ 420mA, 10V |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| ชุด | - | - | - | - |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 1.3W (Ta) | 1.3W (Ta) | 1.3W (Ta) | 1.3W (Ta) |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | IRFD9110 | IRFD9014 | IRFD9024 | IRFD9110 |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 200 pF @ 25 V | 270 pF @ 25 V | 570 pF @ 25 V | 200 pF @ 25 V |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 4-DIP (0.300", 7.62mm) | 4-DIP (0.300", 7.62mm) | 4-DIP (0.300", 7.62mm) | 4-DIP (0.300", 7.62mm) |
| ประเภท FET | P-Channel | P-Channel | P-Channel | P-Channel |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 100 V | 60 V | 60 V | 100 V |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 700mA (Ta) | 1.1A (Ta) | 1.6A (Ta) | 700mA (Ta) |
| คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Tube | Tube | Bulk |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล IRFD9110 PDF และเอกสาร Vishay Siliconix สำหรับ IRFD9110 - Vishay Siliconix
IRFD9014Vishay SiliconixMOSFET P-CH 60V 1.1A 4DIPIRFD9024Vishay SiliconixMOSFET P-CH 60V 1.6A 4DIP
IRFD9120PBF MOSElectro-Films (EFI) / VishayIRFD9010 MOSIRIRFD9110Harris Corporation0.7A 100V 1.200 OHM P-CHANNELIRFD9113Harris Corporation-0.6A, -80V, 1.6 OHM, P-CHANNELIRFD9024PBFVishay SiliconixMOSFET P-CH 60V 1.6A 4DIPIRFD420PBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 500V 370MA 4DIPIRFD9020Vishay SiliconixMOSFET P-CH 60V 1.6A 4DIPIRFD9120Harris CorporationMOSFET P-CH 100V 1A 4DIPIRFD9113Vishay SiliconixMOSFET P-CH 60V 600MA 4DIPIRFD420Vishay SiliconixMOSFET N-CH 500V 370MA 4DIPIRFD9110PBFVishay SiliconixMOSFET P-CH 100V 700MA 4DIPIRFD9120Vishay SiliconixMOSFET P-CH 100V 1A 4DIPIRFD9020PBFVishay SiliconixMOSFET P-CH 60V 1.6A 4DIPIRFD9120 MOSHARRIS/MOTIRFD9014PBFVishay SiliconixMOSFET P-CH 60V 1.1A 4DIPIRFD9120PBFVishay SiliconixMOSFET P-CH 100V 1A 4DIP| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที