ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี IRFI640GPBF
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Vishay Siliconix - IRFI640GPBF คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Vishay Siliconix - IRFI640GPBF
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
ผู้ผลิต | Vishay / Siliconix | |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 4V @ 250µA | |
Vgs (สูงสุด) | ±20V | |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220-3 | |
ชุด | - | |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 180mOhm @ 5.9A, 10V | |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 40W (Tc) | |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab | |
บรรจุุภัณฑ์ | Tube |
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 1300 pF @ 25 V | |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 70 nC @ 10 V | |
ประเภท FET | N-Channel | |
คุณสมบัติ FET | - | |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 200 V | |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 9.8A (Tc) | |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | IRFI640 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Vishay Siliconix IRFI640GPBF
คุณสมบัติสินค้า | ![]() |
![]() |
![]() |
![]() |
---|---|---|---|---|
รุ่นผลิตภัณฑ์ | IRFI640GPBF | IRFI640G | IRFI720GPBF | IRFI644G |
ผู้ผลิต | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix |
ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 9.8A (Tc) | 9.8A (Tc) | 2.6A (Tc) | 7.9A (Tc) |
ชุด | - | - | - | - |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 1300 pF @ 25 V | 1300 pF @ 25 V | 410 pF @ 25 V | 1300 pF @ 25 V |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 200 V | 200 V | 400 V | 250 V |
บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Tube | Tube | Tube |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 180mOhm @ 5.9A, 10V | 180mOhm @ 5.9A, 10V | 1.8Ohm @ 1.6A, 10V | 280mOhm @ 4.7A, 10V |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 40W (Tc) | 40W (Tc) | 30W (Tc) | 40W (Tc) |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | IRFI640 | IRFI640 | IRFI720 | IRFI644 |
Vgs (สูงสุด) | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 70 nC @ 10 V | 70 nC @ 10 V | 20 nC @ 10 V | 68 nC @ 10 V |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | 10V | 10V | 10V |
คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
ประเภท FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 |
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล IRFI640GPBF PDF และเอกสาร Vishay Siliconix สำหรับ IRFI640GPBF - Vishay Siliconix
การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
---|---|---|
ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
บราซิล | 7 | |
ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
ประเทศอังกฤษ | 4 | |
อิตาลี | 5 | |
มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
นิวซีแลนด์ | 5 | |
เอเชีย | อินเดีย | 4 |
ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
---|---|
ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที