ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี IRFR9310TR
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Vishay Siliconix - IRFR9310TR คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Vishay Siliconix - IRFR9310TR
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
ผู้ผลิต | Vishay / Siliconix | |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 4V @ 250µA | |
Vgs (สูงสุด) | ±20V | |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | D-Pak | |
ชุด | - | |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 7Ohm @ 1.1A, 10V | |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 50W (Tc) | |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) |
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 270 pF @ 25 V | |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 13 nC @ 10 V | |
ประเภท FET | P-Channel | |
คุณสมบัติ FET | - | |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 400 V | |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 1.8A (Tc) | |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | IRFR9310 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Vishay Siliconix IRFR9310TR
คุณสมบัติสินค้า | ||||
---|---|---|---|---|
รุ่นผลิตภัณฑ์ | IRFR9310TR | IRFR9310TRPBF | IRFR9N20DTRPBF | IRFR9220TRPBF |
ผู้ผลิต | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Infineon Technologies | Vishay Siliconix |
บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
ประเภท FET | P-Channel | P-Channel | N-Channel | P-Channel |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 50W (Tc) | 50W (Tc) | 86W (Tc) | 2.5W (Ta), 42W (Tc) |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | IRFR9310 | IRFR9310 | - | IRFR9220 |
Vgs (สูงสุด) | ±20V | ±20V | ±30V | ±20V |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 1.8A (Tc) | 1.8A (Tc) | 9.4A (Tc) | 3.6A (Tc) |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | 10V | 10V | 10V |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 13 nC @ 10 V | 13 nC @ 10 V | 27 nC @ 10 V | 20 nC @ 10 V |
ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | D-Pak | D-Pak | D-Pak | D-Pak |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 400 V | 400 V | 200 V | 200 V |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 270 pF @ 25 V | 270 pF @ 25 V | 560 pF @ 25 V | 340 pF @ 25 V |
คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
ชุด | - | - | HEXFET® | - |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 5.5V @ 250µA | 4V @ 250µA |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 7Ohm @ 1.1A, 10V | 7Ohm @ 1.1A, 10V | 380mOhm @ 5.6A, 10V | 1.5Ohm @ 2.2A, 10V |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล IRFR9310TR PDF และเอกสาร Vishay Siliconix สำหรับ IRFR9310TR - Vishay Siliconix
การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
---|---|---|
ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
บราซิล | 7 | |
ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
ประเทศอังกฤษ | 4 | |
อิตาลี | 5 | |
มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
นิวซีแลนด์ | 5 | |
เอเชีย | อินเดีย | 4 |
ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
---|---|
ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที