ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี IRFS11N50A
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Vishay Siliconix - IRFS11N50A คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Vishay Siliconix - IRFS11N50A
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
ผู้ผลิต | Vishay / Siliconix | |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 4V @ 250µA | |
Vgs (สูงสุด) | ±30V | |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | D²PAK (TO-263) | |
ชุด | - | |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 520mOhm @ 6.6A, 10V | |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 170W (Tc) | |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
บรรจุุภัณฑ์ | Tube |
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 1423 pF @ 25 V | |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 52 nC @ 10 V | |
ประเภท FET | N-Channel | |
คุณสมบัติ FET | - | |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 500 V | |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 11A (Tc) | |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | IRFS11 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Vishay Siliconix IRFS11N50A
คุณสมบัติสินค้า | ![]() |
![]() |
![]() |
![]() |
---|---|---|---|---|
รุ่นผลิตภัณฑ์ | IRFS11N50A | IRFS150A | IRFS11N50ATRLP | IRFRC20 |
ผู้ผลิต | Vishay Siliconix | Fairchild Semiconductor | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix |
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 52 nC @ 10 V | 97 nC @ 10 V | 52 nC @ 10 V | 18 nC @ 10 V |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 170W (Tc) | 100W (Tc) | 170W (Tc) | 2.5W (Ta), 42W (Tc) |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 1423 pF @ 25 V | 2270 pF @ 25 V | 1423 pF @ 25 V | 350 pF @ 25 V |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 11A (Tc) | 31A (Tc) | 11A (Tc) | 2A (Tc) |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | IRFS11 | - | IRFS11 | IRFRC20 |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | 10V | 10V | 10V |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 520mOhm @ 6.6A, 10V | 40mOhm @ 15.5A, 10V | 520mOhm @ 6.6A, 10V | 4.4Ohm @ 1.2A, 10V |
ชุด | - | - | - | - |
ประเภท FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 500 V | 100 V | 500 V | 600 V |
Vgs (สูงสุด) | ±30V | ±20V | ±30V | ±20V |
คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-3P-3 Full Pack | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Through Hole | Surface Mount | Surface Mount |
บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Bulk | Tape & Reel (TR) | Tube |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | D²PAK (TO-263) | TO-3PF | TO-263AB | D-Pak |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล IRFS11N50A PDF และเอกสาร Vishay Siliconix สำหรับ IRFS11N50A - Vishay Siliconix
การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
---|---|---|
ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
บราซิล | 7 | |
ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
ประเทศอังกฤษ | 4 | |
อิตาลี | 5 | |
มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
นิวซีแลนด์ | 5 | |
เอเชีย | อินเดีย | 4 |
ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
---|---|
ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที