ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี IRFU024PBF
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Vishay Siliconix - IRFU024PBF คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Vishay Siliconix - IRFU024PBF
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
ผู้ผลิต | Vishay / Siliconix | |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 4V @ 250µA | |
Vgs (สูงสุด) | ±20V | |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-251AA | |
ชุด | - | |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 100mOhm @ 8.4A, 10V | |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 2.5W (Ta), 42W (Tc) | |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | |
บรรจุุภัณฑ์ | Tube |
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 640 pF @ 25 V | |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 25 nC @ 10 V | |
ประเภท FET | N-Channel | |
คุณสมบัติ FET | - | |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 60 V | |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 14A (Tc) | |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | IRFU024 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Vishay Siliconix IRFU024PBF
คุณสมบัติสินค้า | ||||
---|---|---|---|---|
รุ่นผลิตภัณฑ์ | IRFU024PBF | IRFU1018EPBF | IRFU024NPBF | IRFU110 |
ผู้ผลิต | Vishay Siliconix | International Rectifier | Infineon Technologies | Vishay Siliconix |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 2.5W (Ta), 42W (Tc) | 110W (Tc) | 45W (Tc) | 25W (Tc) |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 100mOhm @ 8.4A, 10V | 8.4mOhm @ 47A, 10V | 75mOhm @ 10A, 10V | 540mOhm @ 900mA, 10V |
คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | IRFU024 | - | IRFU024 | IRFU1 |
Vgs (สูงสุด) | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 25 nC @ 10 V | 69 nC @ 10 V | 20 nC @ 10 V | 8.3 nC @ 10 V |
บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Bulk | Tube | Tube |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 640 pF @ 25 V | 2290 pF @ 50 V | 370 pF @ 25 V | 180 pF @ 25 V |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-251AA | IPAK (TO-251AA) | IPAK (TO-251AA) | TO-251AA |
ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 4V @ 250µA | 4V @ 100µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 14A (Tc) | 56A (Tc) | 17A (Tc) | 4.3A (Tc) |
ประเภท FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 60 V | 60 V | 55 V | 100 V |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | - | 10V | 10V |
ชุด | - | HEXFET® | HEXFET® | - |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล IRFU024PBF PDF และเอกสาร Vishay Siliconix สำหรับ IRFU024PBF - Vishay Siliconix
การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
---|---|---|
ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
บราซิล | 7 | |
ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
ประเทศอังกฤษ | 4 | |
อิตาลี | 5 | |
มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
นิวซีแลนด์ | 5 | |
เอเชีย | อินเดีย | 4 |
ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
---|---|
ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? โปรด เพิ่มลงในรถเข็น เราจะติดต่อคุณทันที