ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี IRFZ10
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Vishay Siliconix - IRFZ10 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Vishay Siliconix - IRFZ10
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Vishay / Siliconix | |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 4V @ 250µA | |
| Vgs (สูงสุด) | ±20V | |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220AB | |
| ชุด | - | |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 200mOhm @ 6A, 10V | |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 43W (Tc) | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-3 | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 300 pF @ 25 V | |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 11 nC @ 10 V | |
| ประเภท FET | N-Channel | |
| คุณสมบัติ FET | - | |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 60 V | |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 10A (Tc) | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | IRFZ10 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Vishay Siliconix IRFZ10
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | IRFZ10 | IRFZ20 | IRFZ10PBF | IRFZ14PBF |
| ผู้ผลิต | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Tube | Tube | Tube |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | IRFZ10 | IRFZ20 | IRFZ10 | IRFZ14 |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 43W (Tc) | 40W (Tc) | 43W (Tc) | 43W (Tc) |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 200mOhm @ 6A, 10V | 100mOhm @ 10A, 10V | 200mOhm @ 6A, 10V | 200mOhm @ 6A, 10V |
| คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
| Vgs (สูงสุด) | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 300 pF @ 25 V | 850 pF @ 25 V | 300 pF @ 25 V | 300 pF @ 25 V |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 60 V | 50 V | 60 V | 60 V |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 11 nC @ 10 V | 17 nC @ 10 V | 11 nC @ 10 V | 11 nC @ 10 V |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| ประเภท FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| ชุด | - | - | - | - |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | 10V | 10V | 10V |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220AB | TO-220AB | TO-220AB | TO-220AB |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 10A (Tc) | 15A (Tc) | 10A (Tc) | 10A (Tc) |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล IRFZ10 PDF และเอกสาร Vishay Siliconix สำหรับ IRFZ10 - Vishay Siliconix
IRFZ20Vishay SiliconixMOSFET N-CH 50V 15A TO220ABIRFY9240CMIRIRFZ10PBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 60V 10A TO220AB
IRFZ14PBF MOSElectro-Films (EFI) / VishayIRFZ14PBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 60V 10A TO220ABIRFZ14SPBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 60V 10A D2PAKIRFY440CMIRIRFY340IRIRFY440IRIRFZ14Vishay SiliconixMOSFET N-CH 60V 10A TO220ABIRFY9140CMIRIRFY9130IRIRFZ14SVishay SiliconixMOSFET N-CH 60V 10A D2PAKIRFZ20PBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 50V 15A TO220ABIRFY9130CIRIRFZ210IORIRFY9130CMIRFY9140IR| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? โปรด เพิ่มลงในรถเข็น เราจะติดต่อคุณทันที