ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี IRLD014PBF
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Vishay Siliconix - IRLD014PBF คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Vishay Siliconix - IRLD014PBF
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
ผู้ผลิต | Vishay / Siliconix | |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 2V @ 250µA | |
Vgs (สูงสุด) | ±10V | |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 4-HVMDIP | |
ชุด | - | |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 200mOhm @ 1A, 5V | |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 1.3W (Ta) | |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 4-DIP (0.300", 7.62mm) | |
บรรจุุภัณฑ์ | Tube |
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 400 pF @ 25 V | |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 8.4 nC @ 5 V | |
ประเภท FET | N-Channel | |
คุณสมบัติ FET | - | |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 4V, 5V | |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 60 V | |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 1.7A (Ta) | |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | IRLD014 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Vishay Siliconix IRLD014PBF
คุณสมบัติสินค้า | ![]() |
![]() |
![]() |
![]() |
---|---|---|---|---|
รุ่นผลิตภัณฑ์ | IRLD014PBF | IRLD024PBF | IRLD120 | IRLH5034TR2PBF |
ผู้ผลิต | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Infineon Technologies |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 400 pF @ 25 V | 870 pF @ 25 V | 490 pF @ 25 V | 4730 pF @ 25 V |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 1.3W (Ta) | 1.3W (Ta) | 1.3W (Ta) | - |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 60 V | 60 V | 100 V | 40 V |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 4V, 5V | 4V, 5V | 4V, 5V | - |
คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
Vgs (สูงสุด) | ±10V | ±10V | ±10V | - |
ประเภท FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 8.4 nC @ 5 V | 18 nC @ 5 V | 12 nC @ 5 V | 82 nC @ 10 V |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 1.7A (Ta) | 2.5A (Ta) | 1.3A (Ta) | 29A (Ta), 100A (Tc) |
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - |
บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Tube | Tube | Cut Tape (CT) |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 200mOhm @ 1A, 5V | 100mOhm @ 1.5A, 5V | 270mOhm @ 780mA, 5V | 2.4mOhm @ 50A, 10V |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 4-HVMDIP | 4-HVMDIP | 4-HVMDIP | 8-PQFN (5x6) |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 2V @ 250µA | 2V @ 250µA | 2V @ 250µA | 2.5V @ 150µA |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | IRLD014 | IRLD024 | IRLD120 | - |
ชุด | - | - | - | - |
ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Surface Mount |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 4-DIP (0.300", 7.62mm) | 4-DIP (0.300", 7.62mm) | 4-DIP (0.300", 7.62mm) | 8-PowerVDFN |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล IRLD014PBF PDF และเอกสาร Vishay Siliconix สำหรับ IRLD014PBF - Vishay Siliconix
การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
---|---|---|
ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
บราซิล | 7 | |
ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
ประเทศอังกฤษ | 4 | |
อิตาลี | 5 | |
มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
นิวซีแลนด์ | 5 | |
เอเชีย | อินเดีย | 4 |
ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
---|---|
ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที