ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี IRLZ24LPBF
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Vishay Siliconix - IRLZ24LPBF คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Vishay Siliconix - IRLZ24LPBF
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
ผู้ผลิต | Vishay / Siliconix | |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 2V @ 250µA | |
Vgs (สูงสุด) | ±10V | |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-262-3 | |
ชุด | - | |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 100mOhm @ 10A, 5V | |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 3.7W (Ta), 60W (Tc) | |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | |
บรรจุุภัณฑ์ | Tube |
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 870 pF @ 25 V | |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 18 nC @ 5 V | |
ประเภท FET | N-Channel | |
คุณสมบัติ FET | - | |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 4V, 5V | |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 60 V | |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 17A (Tc) | |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | IRLZ24 |
คุณลักษณะ | ลักษณะ |
---|---|
สถานภาพ RoHS | |
ระดับความไวต่อความชื้น (MSL) | 1 (Unlimited) |
เข้าถึงสถานะ | |
ECCN | EAR99 |
HTSUS |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Vishay Siliconix IRLZ24LPBF
คุณสมบัติสินค้า | ||||
---|---|---|---|---|
รุ่นผลิตภัณฑ์ | IRLZ24LPBF | IRLZ24NPBF | IRLZ14SPBF | IRLZ14PBF |
ผู้ผลิต | Vishay Siliconix | Infineon Technologies | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix |
ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Surface Mount | Through Hole |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 100mOhm @ 10A, 5V | 60mOhm @ 11A, 10V | 200mOhm @ 6A, 5V | 200mOhm @ 6A, 5V |
คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 17A (Tc) | 18A (Tc) | 10A (Tc) | 10A (Tc) |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 60 V | 55 V | 60 V | 60 V |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 18 nC @ 5 V | 15 nC @ 5 V | 8.4 nC @ 5 V | 8.4 nC @ 5 V |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-262-3 | TO-220AB | D²PAK (TO-263) | TO-220AB |
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Vgs (สูงสุด) | ±10V | ±16V | ±10V | ±10V |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 870 pF @ 25 V | 480 pF @ 25 V | 400 pF @ 25 V | 400 pF @ 25 V |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 2V @ 250µA | 2V @ 250µA | 2V @ 250µA | 2V @ 250µA |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 4V, 5V | 4V, 10V | 4V, 5V | 4V, 5V |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | TO-220-3 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-220-3 |
ประเภท FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Tube | Tube | Tube |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | IRLZ24 | IRLZ24 | IRLZ14 | IRLZ14 |
ชุด | - | HEXFET® | - | - |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 3.7W (Ta), 60W (Tc) | 45W (Tc) | 3.7W (Ta), 43W (Tc) | 43W (Tc) |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล IRLZ24LPBF PDF และเอกสาร Vishay Siliconix สำหรับ IRLZ24LPBF - Vishay Siliconix
การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
---|---|---|
ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
บราซิล | 7 | |
ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
ประเทศอังกฤษ | 4 | |
อิตาลี | 5 | |
มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
นิวซีแลนด์ | 5 | |
เอเชีย | อินเดีย | 4 |
ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
---|---|
ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? โปรด เพิ่มลงในรถเข็น เราจะติดต่อคุณทันที