ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี SI1022R-T1-E3
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Vishay Siliconix - SI1022R-T1-E3 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Vishay Siliconix - SI1022R-T1-E3
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
ผู้ผลิต | Vishay / Siliconix | |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 2.5V @ 250µA | |
Vgs (สูงสุด) | ±20V | |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SC-75A | |
ชุด | TrenchFET® | |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 1.25Ohm @ 500mA, 10V | |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 250mW (Ta) | |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | SC-75, SOT-416 | |
บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) |
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 30 pF @ 25 V | |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 0.6 nC @ 4.5 V | |
ประเภท FET | N-Channel | |
คุณสมบัติ FET | - | |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 60 V | |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 330mA (Ta) | |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | SI1022 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Vishay Siliconix SI1022R-T1-E3
คุณสมบัติสินค้า | ||||
---|---|---|---|---|
รุ่นผลิตภัณฑ์ | SI1022R-T1-E3 | SI1021R-T1-E3 | SI1021R-T1-GE3 | SI1022R-T1-GE3 |
ผู้ผลิต | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 0.6 nC @ 4.5 V | 1.7 nC @ 15 V | 1.7 nC @ 15 V | 0.6 nC @ 4.5 V |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 1.25Ohm @ 500mA, 10V | 4Ohm @ 500mA, 10V | 4Ohm @ 500mA, 10V | 1.25Ohm @ 500mA, 10V |
Vgs (สูงสุด) | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | SC-75, SOT-416 | SC-75, SOT-416 | SC-75, SOT-416 | SC-75, SOT-416 |
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SC-75A | SC-75A | SC-75A | SC-75A |
ชุด | TrenchFET® | TrenchFET® | TrenchFET® | TrenchFET® |
ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 60 V | 60 V | 60 V | 60 V |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 30 pF @ 25 V | 23 pF @ 25 V | 23 pF @ 25 V | 30 pF @ 25 V |
ประเภท FET | N-Channel | P-Channel | P-Channel | N-Channel |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 250mW (Ta) | 250mW (Ta) | 250mW (Ta) | 250mW (Ta) |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 330mA (Ta) | 190mA (Ta) | 190mA (Ta) | 330mA (Ta) |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | SI1022 | SI1021 | SI1021 | SI1022 |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 2.5V @ 250µA | 3V @ 250µA | 3V @ 250µA | 2.5V @ 250µA |
บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล SI1022R-T1-E3 PDF และเอกสาร Vishay Siliconix สำหรับ SI1022R-T1-E3 - Vishay Siliconix
การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
---|---|---|
ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
บราซิล | 7 | |
ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
ประเทศอังกฤษ | 4 | |
อิตาลี | 5 | |
มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
นิวซีแลนด์ | 5 | |
เอเชีย | อินเดีย | 4 |
ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
---|---|
ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที