Name: Vishay Siliconix SI2311DS-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI2311DS-T1-GE3

วิธีขนส่ง

เวลาจัดส่ง

รายการในสต็อคสามารถจัดส่งได้ภายใน 24 ชั่วโมงบางส่วนจะถูกจัดส่งภายใน 1-2 วันนับจากวันที่รายการทั้งหมดมาถึงคลังสินค้าของเราและเรือ Allelco สั่งซื้อวันละครั้งเวลาประมาณ 17:00 น. ยกเว้นวันอาทิตย์เมื่อสินค้าถูกจัดส่งเวลาส่งมอบโดยประมาณขึ้นอยู่กับวิธีการจัดส่งและปลายทางการจัดส่งตารางด้านล่างแสดงให้เห็นว่าเป็นเวลาโลจิสติกสำหรับบางประเทศทั่วไป

ค่าจัดส่ง

ใช้บัญชีด่วนของคุณสำหรับการจัดส่งหากคุณมี
ใช้บัญชีของเราสำหรับการจัดส่งอ้างถึงตารางด้านล่างสำหรับค่าใช้จ่ายโดยประมาณ

(กรอบเวลา / ประเทศ / ขนาดแพ็คเกจที่แตกต่างกันมีราคาแตกต่างกัน)

วิธีการจัดส่ง

การจัดส่งทั่วไปทั่วโลกโดย DHL / UPS / FedEx / TNT / EMS / SF เราสนับสนุน
วิธีการจัดส่งอื่น ๆ เพิ่มเติมโปรดติดต่อกับผู้จัดการลูกค้าของคุณ

การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป
ภูมิภาค	ประเทศ	เวลาโลจิสติก (วัน)
อเมริกา	สหรัฐ	5
อเมริกา	บราซิล	7
ยุโรป	ประเทศเยอรมนี	5
	ประเทศอังกฤษ	4
	อิตาลี	5
มหาสมุทร	ออสเตรเลีย	6
มหาสมุทร	นิวซีแลนด์	5
เอเชีย	อินเดีย	4
เอเชีย	ประเทศญี่ปุ่น	4
ตะวันออกกลาง	ประเทศอิสราเอล	6

อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx
ค่าจัดส่ง (กก.)	DHL อ้างอิง (USD $)
0.00kg-1.00kg	USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg	USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg	USD$50.00 - USD$100.00

บันทึก:: ตารางด้านบนมีไว้สำหรับการอ้างอิงเท่านั้นอาจมีอคติข้อมูลบางอย่างสำหรับปัจจัยที่ไม่สามารถควบคุมได้
ติดต่อเราหากคุณมีคำถามใด ๆ

คุณสมบัติสินค้า	ค่าคุณสมบัติ
ผู้ผลิต	Vishay / Siliconix
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id	800mV @ 250µA
Vgs (สูงสุด)	±8V
เทคโนโลยี	MOSFET (Metal Oxide)
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ	SOT-23-3 (TO-236)
ชุด	TrenchFET®
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs	45mOhm @ 3.5A, 4.5V
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด)	710mW (Ta)
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
บรรจุุภัณฑ์	Tape & Reel (TR)

คุณสมบัติสินค้า	ค่าคุณสมบัติ
อุณหภูมิในการทำงาน	-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง	Surface Mount
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds	970 pF @ 4 V
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	12 nC @ 4.5 V
ประเภท FET	P-Channel
คุณสมบัติ FET	-
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss)	8 V
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส	3A (Ta)
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน	SI2311

คุณสมบัติสินค้า
รุ่นผลิตภัณฑ์	SI2311DS-T1-GE3	SI2312BDS-T1-GE3	SI2312-TP	SI2312BDS-T1-E3
ผู้ผลิต	Vishay Siliconix	Vishay Siliconix	Micro Commercial Co	Vishay Siliconix
Vgs (สูงสุด)	±8V	±8V	±8V	±8V
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id	800mV @ 250µA	850mV @ 250µA	1V @ 250µA	850mV @ 250µA
อุณหภูมิในการทำงาน	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
คุณสมบัติ FET	-	-	-	-
ชุด	TrenchFET®	TrenchFET®	-	TrenchFET®
เทคโนโลยี	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss)	8 V	20 V	20 V	20 V
ประเภท FET	P-Channel	N-Channel	N-Channel	N-Channel
ประเภทการติดตั้ง	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส	3A (Ta)	3.9A (Ta)	5A (Ta)	3.9A (Ta)
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V	1.8V, 4.5V	4.5V	1.8V, 4.5V
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน	SI2311	SI2312	SI2312	SI2312
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	12 nC @ 4.5 V	12 nC @ 4.5 V	-	12 nC @ 4.5 V
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ	SOT-23-3 (TO-236)	SOT-23-3 (TO-236)	SOT-23	SOT-23-3 (TO-236)
บรรจุุภัณฑ์	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs	45mOhm @ 3.5A, 4.5V	31mOhm @ 5A, 4.5V	41mOhm @ 4.3A, 1.8V	31mOhm @ 5A, 4.5V
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds	970 pF @ 4 V	-	865 pF @ 10 V	-
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด)	710mW (Ta)	750mW (Ta)	350mW (Ta)	750mW (Ta)

โปรดยึดฉบับภาษาอังกฤษเป็นฉบับทางการ

SI2311DS-T1-GE3 - Vishay Siliconix

ขนาด

ชิ้นส่วนที่มีขนาดคล้ายกัน

SI2311DS-T1-GE3 Datasheet PDF

สิ้นค้าที่ลูกค้าคนอื่นสนใจ

สินค้าแนะนำ

วิธีขนส่ง

เวลาจัดส่ง

ค่าจัดส่ง

วิธีการจัดส่ง

สนับสนุนการชำระ

คู่ค้าด้านโซ่อุปทานที่ซื่อสัตย์ของคุณ -

หากพบปัญหาใด ๆ โปรดติดต่อเรา

การรับรองและการเป็นสมาชิค

SI2311DS-T1-GE3

ตะกร้าสินค้า (0 Items)

เปรียบเทียบรายการ (0 Items)

ข้อเสนอแนะ

โปรดยึดฉบับภาษาอังกฤษเป็นฉบับทางการกลับ

SI2311DS-T1-GE3 - Vishay Siliconix

ขนาด

ชิ้นส่วนที่มีขนาดคล้ายกัน

SI2311DS-T1-GE3 Datasheet PDF

สิ้นค้าที่ลูกค้าคนอื่นสนใจ

สินค้าแนะนำ

วิธีขนส่ง

เวลาจัดส่ง

ค่าจัดส่ง

วิธีการจัดส่ง

สนับสนุนการชำระ

คู่ค้าด้านโซ่อุปทานที่ซื่อสัตย์ของคุณ -

หากพบปัญหาใด ๆ โปรดติดต่อเรา

การรับรองและการเป็นสมาชิค

SI2311DS-T1-GE3

ตะกร้าสินค้า (0 Items)

เปรียบเทียบรายการ (0 Items)

ข้อเสนอแนะ

โปรดยึดฉบับภาษาอังกฤษเป็นฉบับทางการ