ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี SI2337DS-T1-GE3
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Vishay Siliconix - SI2337DS-T1-GE3 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Vishay Siliconix - SI2337DS-T1-GE3
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
ผู้ผลิต | Vishay / Siliconix | |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 4V @ 250µA | |
Vgs (สูงสุด) | ±20V | |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SOT-23-3 (TO-236) | |
ชุด | TrenchFET® | |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 270mOhm @ 1.2A, 10V | |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 760mW (Ta), 2.5W (Tc) | |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) |
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
อุณหภูมิในการทำงาน | -50°C ~ 150°C (TJ) | |
ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 500 pF @ 40 V | |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 17 nC @ 10 V | |
ประเภท FET | P-Channel | |
คุณสมบัติ FET | - | |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V | |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 80 V | |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 2.2A (Tc) | |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | SI2337 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Vishay Siliconix SI2337DS-T1-GE3
คุณสมบัติสินค้า | ||||
---|---|---|---|---|
รุ่นผลิตภัณฑ์ | SI2337DS-T1-GE3 | SI2335DS-T1-GE3 | SI2336DS-T1-GE3 | SI2341DS-T1-E3 |
ผู้ผลิต | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix |
Vgs (สูงสุด) | ±20V | ±8V | ±8V | ±20V |
ประเภท FET | P-Channel | P-Channel | N-Channel | P-Channel |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 760mW (Ta), 2.5W (Tc) | 750mW (Ta) | 1.25W (Ta), 1.8W (Tc) | 710mW (Ta) |
คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 2.2A (Tc) | 3.2A (Ta) | 5.2A (Tc) | 2.5A (Ta) |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 80 V | 12 V | 30 V | 30 V |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 4V @ 250µA | 450mV @ 250µA (Min) | 1V @ 250µA | 3V @ 250µA |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | SI2337 | SI2335 | SI2336 | SI2341 |
ชุด | TrenchFET® | TrenchFET® | TrenchFET® | TrenchFET® |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V | 1.8V, 4.5V | 1.8V, 4.5V | 4.5V, 10V |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SOT-23-3 (TO-236) | SOT-23-3 (TO-236) | SOT-23-3 (TO-236) | SOT-23-3 (TO-236) |
ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
อุณหภูมิในการทำงาน | -50°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 17 nC @ 10 V | 15 nC @ 4.5 V | 15 nC @ 8 V | 15 nC @ 10 V |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 270mOhm @ 1.2A, 10V | 51mOhm @ 4A, 4.5V | 42mOhm @ 3.8A, 4.5V | 72mOhm @ 2.8A, 10V |
บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 500 pF @ 40 V | 1225 pF @ 6 V | 560 pF @ 15 V | 400 pF @ 15 V |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล SI2337DS-T1-GE3 PDF และเอกสาร Vishay Siliconix สำหรับ SI2337DS-T1-GE3 - Vishay Siliconix
การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
---|---|---|
ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
บราซิล | 7 | |
ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
ประเทศอังกฤษ | 4 | |
อิตาลี | 5 | |
มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
นิวซีแลนด์ | 5 | |
เอเชีย | อินเดีย | 4 |
ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
---|---|
ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที