Name: Vishay Siliconix SI2356DS-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI2356DS-T1-GE3
Availability: InStock
Rating: 5 (3 reviews)

ขนาด

ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี SI2356DS-T1-GE3
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Vishay Siliconix - SI2356DS-T1-GE3 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Vishay Siliconix - SI2356DS-T1-GE3

คุณสมบัติสินค้า	ค่าคุณสมบัติ
ผู้ผลิต	Vishay / Siliconix
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id	1.5V @ 250µA
Vgs (สูงสุด)	±12V
เทคโนโลยี	MOSFET (Metal Oxide)
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ	SOT-23-3 (TO-236)
ชุด	TrenchFET®
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs	51mOhm @ 3.2A, 10V
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด)	960mW (Ta), 1.7W (Tc)
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
บรรจุุภัณฑ์	Tape & Reel (TR)

คุณสมบัติสินค้า	ค่าคุณสมบัติ
อุณหภูมิในการทำงาน	-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง	Surface Mount
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds	370 pF @ 20 V
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	13 nC @ 10 V
ประเภท FET	N-Channel
คุณสมบัติ FET	-
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On)	2.5V, 10V
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss)	40 V
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส	4.3A (Tc)
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน	SI2356

การจำแนกประเภทสิ่งแวดล้อมและการส่งออก

คุณลักษณะ	ลักษณะ
สถานภาพ RoHS
ระดับความไวต่อความชื้น (MSL)	1 (Unlimited)
เข้าถึงสถานะ	REACH Unaffected
ECCN	EAR99
HTSUS

วิธีขนส่ง

เวลาจัดส่ง

รายการในสต็อคสามารถจัดส่งได้ภายใน 24 ชั่วโมงบางส่วนจะถูกจัดส่งภายใน 1-2 วันนับจากวันที่รายการทั้งหมดมาถึงคลังสินค้าของเราและเรือ Allelco สั่งซื้อวันละครั้งเวลาประมาณ 17:00 น. ยกเว้นวันอาทิตย์เมื่อสินค้าถูกจัดส่งเวลาส่งมอบโดยประมาณขึ้นอยู่กับวิธีการจัดส่งและปลายทางการจัดส่งตารางด้านล่างแสดงให้เห็นว่าเป็นเวลาโลจิสติกสำหรับบางประเทศทั่วไป

ค่าจัดส่ง

ใช้บัญชีด่วนของคุณสำหรับการจัดส่งหากคุณมี
ใช้บัญชีของเราสำหรับการจัดส่งอ้างถึงตารางด้านล่างสำหรับค่าใช้จ่ายโดยประมาณ

(กรอบเวลา / ประเทศ / ขนาดแพ็คเกจที่แตกต่างกันมีราคาแตกต่างกัน)

วิธีการจัดส่ง

การจัดส่งทั่วไปทั่วโลกโดย DHL / UPS / FedEx / TNT / EMS / SF เราสนับสนุน
วิธีการจัดส่งอื่น ๆ เพิ่มเติมโปรดติดต่อกับผู้จัดการลูกค้าของคุณ

การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป
ภูมิภาค	ประเทศ	เวลาโลจิสติก (วัน)
อเมริกา	สหรัฐ	5
อเมริกา	บราซิล	7
ยุโรป	ประเทศเยอรมนี	5
	ประเทศอังกฤษ	4
	อิตาลี	5
มหาสมุทร	ออสเตรเลีย	6
มหาสมุทร	นิวซีแลนด์	5
เอเชีย	อินเดีย	4
เอเชีย	ประเทศญี่ปุ่น	4
ตะวันออกกลาง	ประเทศอิสราเอล	6

อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx
ค่าจัดส่ง (กก.)	DHL อ้างอิง (USD $)
0.00kg-1.00kg	USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg	USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg	USD$50.00 - USD$100.00

บันทึก:: ตารางด้านบนมีไว้สำหรับการอ้างอิงเท่านั้นอาจมีอคติข้อมูลบางอย่างสำหรับปัจจัยที่ไม่สามารถควบคุมได้
ติดต่อเราหากคุณมีคำถามใด ๆ

โปรดยึดฉบับภาษาอังกฤษเป็นฉบับทางการ

SI2356DS-T1-GE3 - Vishay Siliconix

ขนาด

การจำแนกประเภทสิ่งแวดล้อมและการส่งออก

ชิ้นส่วนที่มีขนาดคล้ายกัน

SI2356DS-T1-GE3 Datasheet PDF

สิ้นค้าที่ลูกค้าคนอื่นสนใจ

สินค้าแนะนำ

วิธีขนส่ง

เวลาจัดส่ง

ค่าจัดส่ง

วิธีการจัดส่ง

สนับสนุนการชำระ

คู่ค้าด้านโซ่อุปทานที่ซื่อสัตย์ของคุณ -

หากพบปัญหาใด ๆ โปรดติดต่อเรา

การรับรองและการเป็นสมาชิค

SI2356DS-T1-GE3

ตะกร้าสินค้า (0 Items)

เปรียบเทียบรายการ (0 Items)

ข้อเสนอแนะ

คุณสมบัติสินค้า
รุ่นผลิตภัณฑ์	SI2356DS-T1-GE3	SI2366DS-T1-GE3	SI2347DS-T1-BE3	SI2351DS-T1-E3
ผู้ผลิต	Vishay Siliconix	Vishay Siliconix	Vishay Siliconix	Vishay Siliconix
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด)	960mW (Ta), 1.7W (Tc)	1.25W (Ta), 2.1W (Tc)	1.2W (Ta), 1.7W (Tc)	-
เทคโนโลยี	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs	51mOhm @ 3.2A, 10V	36mOhm @ 4.5A, 10V	42mOhm @ 3.8A, 10V	115mOhm @ 2.4A, 4.5V
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On)	2.5V, 10V	10V	4.5V, 10V	-
ประเภท FET	N-Channel	N-Channel	P-Channel	P-Channel
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	13 nC @ 10 V	10 nC @ 10 V	22 nC @ 10 V	5.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds	370 pF @ 20 V	335 pF @ 15 V	705 pF @ 15 V	250 pF @ 10 V
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id	1.5V @ 250µA	2.5V @ 250µA	2.5V @ 250µA	1.5V @ 250µA
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน	SI2356	SI2366	-	SI2351
คุณสมบัติ FET	-	-	-	-
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
อุณหภูมิในการทำงาน	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ	SOT-23-3 (TO-236)	SOT-23-3 (TO-236)	SOT-23-3 (TO-236)	SOT-23-3 (TO-236)
Vgs (สูงสุด)	±12V	±20V	±20V	-
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส	4.3A (Tc)	5.8A (Tc)	3.8A (Ta), 5A (Tc)	2.8A (Tc)
ประเภทการติดตั้ง	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
บรรจุุภัณฑ์	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)	Cut Tape (CT)
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss)	40 V	30 V	30 V	20 V
ชุด	TrenchFET®	TrenchFET®	-	-

โปรดยึดฉบับภาษาอังกฤษเป็นฉบับทางการกลับ

SI2356DS-T1-GE3 - Vishay Siliconix

ขนาด

การจำแนกประเภทสิ่งแวดล้อมและการส่งออก

ชิ้นส่วนที่มีขนาดคล้ายกัน

SI2356DS-T1-GE3 Datasheet PDF

สิ้นค้าที่ลูกค้าคนอื่นสนใจ

สินค้าแนะนำ

วิธีขนส่ง

เวลาจัดส่ง

ค่าจัดส่ง

วิธีการจัดส่ง

สนับสนุนการชำระ

คู่ค้าด้านโซ่อุปทานที่ซื่อสัตย์ของคุณ -

หากพบปัญหาใด ๆ โปรดติดต่อเรา

การรับรองและการเป็นสมาชิค

SI2356DS-T1-GE3

ตะกร้าสินค้า (0 Items)

เปรียบเทียบรายการ (0 Items)

ข้อเสนอแนะ

โปรดยึดฉบับภาษาอังกฤษเป็นฉบับทางการ