ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี SI3446ADV-T1-E3
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Vishay Siliconix - SI3446ADV-T1-E3 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Vishay Siliconix - SI3446ADV-T1-E3
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
ผู้ผลิต | Vishay / Siliconix | |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 1.8V @ 250µA | |
Vgs (สูงสุด) | ±12V | |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 6-TSOP | |
ชุด | TrenchFET® | |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 37mOhm @ 5.8A, 4.5V | |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 2W (Ta), 3.2W (Tc) | |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | |
บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) |
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 640 pF @ 10 V | |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 20 nC @ 10 V | |
ประเภท FET | N-Channel | |
คุณสมบัติ FET | - | |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V | |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 20 V | |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 6A (Tc) | |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | SI3446 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Vishay Siliconix SI3446ADV-T1-E3
คุณสมบัติสินค้า | ||||
---|---|---|---|---|
รุ่นผลิตภัณฑ์ | SI3446ADV-T1-E3 | SI3446ADV-T1-GE3 | SI3445DV-T1-E3 | SI3445DV |
ผู้ผลิต | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Fairchild Semiconductor |
คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 37mOhm @ 5.8A, 4.5V | 37mOhm @ 5.8A, 4.5V | 42mOhm @ 5.6A, 4.5V | 33mOhm @ 5.5A, 4.5V |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 20 V | 20 V | 8 V | 20 V |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V | 2.5V, 4.5V | 1.8V, 4.5V | 1.8V, 4.5V |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 6A (Tc) | 6A (Tc) | 5.6A (Ta) | 5.5A (Ta) |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 640 pF @ 10 V | 640 pF @ 10 V | - | 1926 pF @ 10 V |
ชุด | TrenchFET® | TrenchFET® | TrenchFET® | PowerTrench® |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
ประเภท FET | N-Channel | N-Channel | P-Channel | P-Channel |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 2W (Ta), 3.2W (Tc) | 2W (Ta), 3.2W (Tc) | 2W (Ta) | 800mW (Ta) |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | SI3446 | SI3446 | SI3445 | - |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 6-TSOP | 6-TSOP | 6-TSOP | SuperSOT™-6 |
Vgs (สูงสุด) | ±12V | ±12V | ±8V | ±8V |
บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Bulk |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 20 nC @ 10 V | 20 nC @ 10 V | 25 nC @ 4.5 V | 30 nC @ 4.5 V |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 1.8V @ 250µA | 1.8V @ 250µA | 1V @ 250µA | 1.5V @ 250µA |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล SI3446ADV-T1-E3 PDF และเอกสาร Vishay Siliconix สำหรับ SI3446ADV-T1-E3 - Vishay Siliconix
การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
---|---|---|
ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
บราซิล | 7 | |
ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
ประเทศอังกฤษ | 4 | |
อิตาลี | 5 | |
มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
นิวซีแลนด์ | 5 | |
เอเชีย | อินเดีย | 4 |
ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
---|---|
ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที