ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี SI4322DY-T1-E3
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Vishay Siliconix - SI4322DY-T1-E3 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Vishay Siliconix - SI4322DY-T1-E3
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
ผู้ผลิต | Vishay / Siliconix | |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 3V @ 250µA | |
Vgs (สูงสุด) | ±20V | |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 8-SOIC | |
ชุด | TrenchFET® | |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 8.5mOhm @ 15A, 10V | |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 3.1W (Ta), 5.4W (Tc) | |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) |
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 1640 pF @ 15 V | |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 38 nC @ 10 V | |
ประเภท FET | N-Channel | |
คุณสมบัติ FET | - | |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 30 V | |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 18A (Tc) | |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | SI4322 |
คุณลักษณะ | ลักษณะ |
---|---|
สถานภาพ RoHS | |
ระดับความไวต่อความชื้น (MSL) | 1 (Unlimited) |
เข้าถึงสถานะ | REACH Unaffected |
ECCN | EAR99 |
HTSUS |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Vishay Siliconix SI4322DY-T1-E3
คุณสมบัติสินค้า | ||||
---|---|---|---|---|
รุ่นผลิตภัณฑ์ | SI4322DY-T1-E3 | SI4320DY-T1-E3 | SI4324DY-T1-E3 | SI4330DY-T1-E3. |
ผู้ผลิต | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Electro-Films (EFI) / Vishay |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 3.1W (Ta), 5.4W (Tc) | 1.6W (Ta) | 3.5W (Ta), 7.8W (Tc) | - |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 3V @ 250µA | 3V @ 250µA | 2.5V @ 250µA | - |
บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | - |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 8-SOIC | 8-SOIC | 8-SOIC | - |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 30 V | 30 V | 30 V | - |
คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 8.5mOhm @ 15A, 10V | 3mOhm @ 25A, 10V | 3.2mOhm @ 20A, 10V | - |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | - |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 38 nC @ 10 V | 70 nC @ 4.5 V | 85 nC @ 10 V | - |
ประเภท FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | - |
ชุด | TrenchFET® | TrenchFET® | TrenchFET® | - |
ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | - |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | - |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 18A (Tc) | 17A (Ta) | 36A (Tc) | - |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | - |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | SI4322 | SI4320 | SI4324 | - |
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - |
Vgs (สูงสุด) | ±20V | ±20V | ±20V | - |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 1640 pF @ 15 V | 6500 pF @ 15 V | 3510 pF @ 15 V | - |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล SI4322DY-T1-E3 PDF และเอกสาร Vishay Siliconix สำหรับ SI4322DY-T1-E3 - Vishay Siliconix
การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
---|---|---|
ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
บราซิล | 7 | |
ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
ประเทศอังกฤษ | 4 | |
อิตาลี | 5 | |
มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
นิวซีแลนด์ | 5 | |
เอเชีย | อินเดีย | 4 |
ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
---|---|
ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? โปรด เพิ่มลงในรถเข็น เราจะติดต่อคุณทันที