ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี SI4670DY-T1-GE3
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Vishay Siliconix - SI4670DY-T1-GE3 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Vishay Siliconix - SI4670DY-T1-GE3
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
ผู้ผลิต | Vishay / Siliconix | |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 2.2V @ 250µA | |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 8-SOIC | |
ชุด | TrenchFET® | |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 23mOhm @ 7A, 10V | |
เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 2.8W | |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) |
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 680pF @ 13V | |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 18nC @ 10V | |
คุณสมบัติ FET | Logic Level Gate | |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 25V | |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 8A | |
องค์ประกอบ | 2 N-Channel (Dual) | |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | SI4670 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Vishay Siliconix SI4670DY-T1-GE3
คุณสมบัติสินค้า | ![]() |
![]() |
![]() |
![]() |
---|---|---|---|---|
รุ่นผลิตภัณฑ์ | SI4670DY-T1-GE3 | SI4670DY-T1-E3 | SI4682DY | SI4666DY-T1-GE3 |
ผู้ผลิต | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | VIS | Vishay Siliconix |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | - | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | -55°C ~ 150°C (TJ) |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | SI4670 | SI4670 | - | SI4666 |
คุณสมบัติ FET | Logic Level Gate | Logic Level Gate | - | - |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 8-SOIC | 8-SOIC | - | 8-SOIC |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 2.2V @ 250µA | 2.2V @ 250µA | - | 1.5V @ 250µA |
เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 2.8W | 2.8W | - | - |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 23mOhm @ 7A, 10V | 23mOhm @ 7A, 10V | - | 10mOhm @ 10A, 10V |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 18nC @ 10V | 18nC @ 10V | - | 34 nC @ 10 V |
ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | - | Surface Mount |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 8A | 8A | - | 16.5A (Tc) |
ชุด | TrenchFET® | TrenchFET® | - | TrenchFET® |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 25V | 25V | - | 25 V |
องค์ประกอบ | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) | - | - |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 680pF @ 13V | 680pF @ 13V | - | 1145 pF @ 10 V |
บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | - | Tape & Reel (TR) |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | - | MOSFET (Metal Oxide) |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล SI4670DY-T1-GE3 PDF และเอกสาร Vishay Siliconix สำหรับ SI4670DY-T1-GE3 - Vishay Siliconix
การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
---|---|---|
ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
บราซิล | 7 | |
ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
ประเทศอังกฤษ | 4 | |
อิตาลี | 5 | |
มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
นิวซีแลนด์ | 5 | |
เอเชีย | อินเดีย | 4 |
ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
---|---|
ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที