ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี SI4800BDY-T1-GE3
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Vishay Siliconix - SI4800BDY-T1-GE3 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Vishay Siliconix - SI4800BDY-T1-GE3
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
ผู้ผลิต | Vishay / Siliconix | |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 1.8V @ 250µA | |
Vgs (สูงสุด) | ±25V | |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 8-SOIC | |
ชุด | TrenchFET® | |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 18.5mOhm @ 9A, 10V | |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 1.3W (Ta) | |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) |
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 13 nC @ 5 V | |
ประเภท FET | N-Channel | |
คุณสมบัติ FET | - | |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 30 V | |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 6.5A (Ta) | |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | SI4800 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Vishay Siliconix SI4800BDY-T1-GE3
คุณสมบัติสินค้า | ||||
---|---|---|---|---|
รุ่นผลิตภัณฑ์ | SI4800BDY-T1-GE3 | SI4800BDY-T1-E3 | Si47925A202YAMR | SI4802DY |
ผู้ผลิต | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Skyworks Solutions, Inc. | SILICONIX |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 1.3W (Ta) | 1.3W (Ta) | - | - |
ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | - | - |
Vgs (สูงสุด) | ±25V | ±25V | - | - |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 1.8V @ 250µA | 1.8V @ 250µA | - | - |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 13 nC @ 5 V | 13 nC @ 5 V | - | - |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 30 V | 30 V | - | - |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | - | - |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | - | - |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | - | - |
ประเภท FET | N-Channel | N-Channel | - | - |
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | SI4800 | SI4800 | - | - |
ชุด | TrenchFET® | TrenchFET® | - | - |
บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | - | - |
คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 6.5A (Ta) | 6.5A (Ta) | - | - |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 8-SOIC | 8-SOIC | - | - |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 18.5mOhm @ 9A, 10V | 18.5mOhm @ 9A, 10V | - | - |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล SI4800BDY-T1-GE3 PDF และเอกสาร Vishay Siliconix สำหรับ SI4800BDY-T1-GE3 - Vishay Siliconix
การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
---|---|---|
ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
บราซิล | 7 | |
ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
ประเทศอังกฤษ | 4 | |
อิตาลี | 5 | |
มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
นิวซีแลนด์ | 5 | |
เอเชีย | อินเดีย | 4 |
ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
---|---|
ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที