ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี SI4931DY-T1-E3
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Vishay Siliconix - SI4931DY-T1-E3 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Vishay Siliconix - SI4931DY-T1-E3
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
ผู้ผลิต | Vishay / Siliconix | |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 1V @ 350µA | |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 8-SOIC | |
ชุด | TrenchFET® | |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 18mOhm @ 8.9A, 4.5V | |
เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 1.1W | |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) |
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | - | |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 52nC @ 4.5V | |
คุณสมบัติ FET | Logic Level Gate | |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 12V | |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 6.7A | |
องค์ประกอบ | 2 P-Channel (Dual) | |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | SI4931 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Vishay Siliconix SI4931DY-T1-E3
คุณสมบัติสินค้า | ||||
---|---|---|---|---|
รุ่นผลิตภัณฑ์ | SI4931DY-T1-E3 | SI4932DY-T1-GE3 | SI4933DY-T1-E3 | SI4931DY-T1-GE3 |
ผู้ผลิต | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 8-SOIC | 8-SOIC | 8-SOIC | 8-SOIC |
บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 12V | 30V | 12V | 12V |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 1V @ 350µA | 2.5V @ 250µA | 1V @ 500µA | 1V @ 350µA |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 6.7A | 8A | 7.4A | 6.7A |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | - | 1750pF @ 15V | - | - |
เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 1.1W | 3.2W | 1.1W | 1.1W |
คุณสมบัติ FET | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Logic Level Gate |
องค์ประกอบ | 2 P-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) | 2 P-Channel (Dual) | 2 P-Channel (Dual) |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 52nC @ 4.5V | 48nC @ 10V | 70nC @ 4.5V | 52nC @ 4.5V |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | SI4931 | SI4932 | SI4933 | SI4931 |
ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 18mOhm @ 8.9A, 4.5V | 15mOhm @ 7A, 10V | 14mOhm @ 9.8A, 4.5V | 18mOhm @ 8.9A, 4.5V |
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
ชุด | TrenchFET® | TrenchFET® | TrenchFET® | TrenchFET® |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล SI4931DY-T1-E3 PDF และเอกสาร Vishay Siliconix สำหรับ SI4931DY-T1-E3 - Vishay Siliconix
การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
---|---|---|
ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
บราซิล | 7 | |
ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
ประเทศอังกฤษ | 4 | |
อิตาลี | 5 | |
มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
นิวซีแลนด์ | 5 | |
เอเชีย | อินเดีย | 4 |
ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
---|---|
ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที