ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี SI5935DC-T1-E3
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Vishay Siliconix - SI5935DC-T1-E3 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Vishay Siliconix - SI5935DC-T1-E3
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
ผู้ผลิต | Vishay / Siliconix | |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 1V @ 250µA | |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 1206-8 ChipFET™ | |
ชุด | TrenchFET® | |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 86mOhm @ 3A, 4.5V | |
เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 1.1W | |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 8-SMD, Flat Lead | |
บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) |
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | - | |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 8.5nC @ 4.5V | |
คุณสมบัติ FET | Logic Level Gate | |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 20V | |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 3A | |
องค์ประกอบ | 2 P-Channel (Dual) | |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | SI5935 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Vishay Siliconix SI5935DC-T1-E3
คุณสมบัติสินค้า | ||||
---|---|---|---|---|
รุ่นผลิตภัณฑ์ | SI5935DC-T1-E3 | SI5944DU-T1-E3 | SI5948DU-T1-GE3 | SI5936DU-T1-GE3 |
ผู้ผลิต | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix |
องค์ประกอบ | 2 P-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 8.5nC @ 4.5V | 6.6nC @ 10V | 2.6nC @ 4.5V | 11nC @ 10V |
คุณสมบัติ FET | Logic Level Gate | Logic Level Gate | - | Logic Level Gate |
บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 86mOhm @ 3A, 4.5V | 112mOhm @ 3.3A, 10V | 82mOhm @ 5A, 10V | 30mOhm @ 5A, 10V |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 1206-8 ChipFET™ | PowerPAK® ChipFet Dual | PowerPAK® ChipFet Dual | PowerPAK® ChipFet Dual |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 1.1W | 10W | 7W | 10.4W |
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 1V @ 250µA | 3V @ 250µA | 2.5V @ 250µA | 2.2V @ 250µA |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 20V | 40V | 40V | 30V |
ชุด | TrenchFET® | TrenchFET® | TrenchFET® | TrenchFET® |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 3A | 6A | 6A (Tc) | 6A |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | - | 210pF @ 20V | 165pF @ 20V | 320pF @ 15V |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | SI5935 | SI5944 | SI5948 | SI5936 |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 8-SMD, Flat Lead | PowerPAK® ChipFET™ Dual | PowerPAK® ChipFet Dual | PowerPAK® ChipFET™ Dual |
ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล SI5935DC-T1-E3 PDF และเอกสาร Vishay Siliconix สำหรับ SI5935DC-T1-E3 - Vishay Siliconix
การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
---|---|---|
ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
บราซิล | 7 | |
ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
ประเทศอังกฤษ | 4 | |
อิตาลี | 5 | |
มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
นิวซีแลนด์ | 5 | |
เอเชีย | อินเดีย | 4 |
ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
---|---|
ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที