Name: Vishay Siliconix SI6463BDQ-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI6463BDQ-T1-GE3

วิธีขนส่ง

เวลาจัดส่ง

รายการในสต็อคสามารถจัดส่งได้ภายใน 24 ชั่วโมงบางส่วนจะถูกจัดส่งภายใน 1-2 วันนับจากวันที่รายการทั้งหมดมาถึงคลังสินค้าของเราและเรือ Allelco สั่งซื้อวันละครั้งเวลาประมาณ 17:00 น. ยกเว้นวันอาทิตย์เมื่อสินค้าถูกจัดส่งเวลาส่งมอบโดยประมาณขึ้นอยู่กับวิธีการจัดส่งและปลายทางการจัดส่งตารางด้านล่างแสดงให้เห็นว่าเป็นเวลาโลจิสติกสำหรับบางประเทศทั่วไป

ค่าจัดส่ง

ใช้บัญชีด่วนของคุณสำหรับการจัดส่งหากคุณมี
ใช้บัญชีของเราสำหรับการจัดส่งอ้างถึงตารางด้านล่างสำหรับค่าใช้จ่ายโดยประมาณ

(กรอบเวลา / ประเทศ / ขนาดแพ็คเกจที่แตกต่างกันมีราคาแตกต่างกัน)

วิธีการจัดส่ง

การจัดส่งทั่วไปทั่วโลกโดย DHL / UPS / FedEx / TNT / EMS / SF เราสนับสนุน
วิธีการจัดส่งอื่น ๆ เพิ่มเติมโปรดติดต่อกับผู้จัดการลูกค้าของคุณ

การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป
ภูมิภาค	ประเทศ	เวลาโลจิสติก (วัน)
อเมริกา	สหรัฐ	5
อเมริกา	บราซิล	7
ยุโรป	ประเทศเยอรมนี	5
	ประเทศอังกฤษ	4
	อิตาลี	5
มหาสมุทร	ออสเตรเลีย	6
มหาสมุทร	นิวซีแลนด์	5
เอเชีย	อินเดีย	4
เอเชีย	ประเทศญี่ปุ่น	4
ตะวันออกกลาง	ประเทศอิสราเอล	6

อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx
ค่าจัดส่ง (กก.)	DHL อ้างอิง (USD $)
0.00kg-1.00kg	USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg	USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg	USD$50.00 - USD$100.00

บันทึก:: ตารางด้านบนมีไว้สำหรับการอ้างอิงเท่านั้นอาจมีอคติข้อมูลบางอย่างสำหรับปัจจัยที่ไม่สามารถควบคุมได้
ติดต่อเราหากคุณมีคำถามใด ๆ

คุณสมบัติสินค้า	ค่าคุณสมบัติ
ผู้ผลิต	Vishay / Siliconix
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id	800mV @ 250µA
เทคโนโลยี	MOSFET (Metal Oxide)
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ	8-TSSOP
ชุด	TrenchFET®
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs	15mOhm @ 7.4A, 4.5V
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์	8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
บรรจุุภัณฑ์	Cut Tape (CT)

คุณสมบัติสินค้า	ค่าคุณสมบัติ
ประเภทการติดตั้ง	Surface Mount
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	60 nC @ 5 V
ประเภท FET	P-Channel
คุณสมบัติ FET	-
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss)	20 V
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส	6.2A (Ta)
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน	SI6463

คุณสมบัติสินค้า
รุ่นผลิตภัณฑ์	SI6463BDQ-T1-GE3	SI6459BDQ-T1-E3	SI6466ADQ-T1-GE3	SI6465DQ-T1-E3
ผู้ผลิต	Vishay Siliconix	Vishay Siliconix	Vishay Siliconix	Vishay Siliconix
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id	800mV @ 250µA	3V @ 250µA	450mV @ 250µA (Min)	450mV @ 250µA (Min)
บรรจุุภัณฑ์	Cut Tape (CT)	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์	8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)	8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)	8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)	8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
ประเภทการติดตั้ง	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
ชุด	TrenchFET®	TrenchFET®	TrenchFET®	TrenchFET®
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs	15mOhm @ 7.4A, 4.5V	115mOhm @ 2.7A, 10V	14mOhm @ 8.1A, 4.5V	12mOhm @ 8.8A, 4.5V
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss)	20 V	60 V	20 V	8 V
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	60 nC @ 5 V	22 nC @ 10 V	27 nC @ 5 V	80 nC @ 4.5 V
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ	8-TSSOP	8-TSSOP	8-TSSOP	8-TSSOP
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส	6.2A (Ta)	2.2A (Ta)	6.8A (Ta)	8.8A (Ta)
คุณสมบัติ FET	-	-	-	-
เทคโนโลยี	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)
ประเภท FET	P-Channel	P-Channel	N-Channel	P-Channel
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน	SI6463	SI6459	SI6466	SI6465

โปรดยึดฉบับภาษาอังกฤษเป็นฉบับทางการ

SI6463BDQ-T1-GE3 - Vishay Siliconix

ขนาด

ชิ้นส่วนที่มีขนาดคล้ายกัน

SI6463BDQ-T1-GE3 Datasheet PDF

สิ้นค้าที่ลูกค้าคนอื่นสนใจ

สินค้าแนะนำ

วิธีขนส่ง

เวลาจัดส่ง

ค่าจัดส่ง

วิธีการจัดส่ง

สนับสนุนการชำระ

คู่ค้าด้านโซ่อุปทานที่ซื่อสัตย์ของคุณ -

หากพบปัญหาใด ๆ โปรดติดต่อเรา

การรับรองและการเป็นสมาชิค

SI6463BDQ-T1-GE3

ตะกร้าสินค้า (0 Items)

เปรียบเทียบรายการ (0 Items)

ข้อเสนอแนะ

โปรดยึดฉบับภาษาอังกฤษเป็นฉบับทางการกลับ

SI6463BDQ-T1-GE3 - Vishay Siliconix

ขนาด

ชิ้นส่วนที่มีขนาดคล้ายกัน

SI6463BDQ-T1-GE3 Datasheet PDF

สิ้นค้าที่ลูกค้าคนอื่นสนใจ

สินค้าแนะนำ

วิธีขนส่ง

เวลาจัดส่ง

ค่าจัดส่ง

วิธีการจัดส่ง

สนับสนุนการชำระ

คู่ค้าด้านโซ่อุปทานที่ซื่อสัตย์ของคุณ -

หากพบปัญหาใด ๆ โปรดติดต่อเรา

การรับรองและการเป็นสมาชิค

SI6463BDQ-T1-GE3

ตะกร้าสินค้า (0 Items)

เปรียบเทียบรายการ (0 Items)

ข้อเสนอแนะ

โปรดยึดฉบับภาษาอังกฤษเป็นฉบับทางการ