ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี SI6924AEDQ-T1-E3
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Vishay Siliconix - SI6924AEDQ-T1-E3 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Vishay Siliconix - SI6924AEDQ-T1-E3
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
ผู้ผลิต | Vishay / Siliconix | |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 1.5V @ 250µA | |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 8-TSSOP | |
ชุด | - | |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 33mOhm @ 4.6A, 4.5V | |
เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 1W | |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) | |
บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) |
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | - | |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 10nC @ 4.5V | |
คุณสมบัติ FET | Logic Level Gate | |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 28V | |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 4.1A | |
องค์ประกอบ | 2 N-Channel (Dual) Common Drain | |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | SI6924 |
คุณลักษณะ | ลักษณะ |
---|---|
สถานภาพ RoHS | |
ระดับความไวต่อความชื้น (MSL) | 1 (Unlimited) |
เข้าถึงสถานะ | REACH Unaffected |
ECCN | EAR99 |
HTSUS |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Vishay Siliconix SI6924AEDQ-T1-E3
คุณสมบัติสินค้า | ||||
---|---|---|---|---|
รุ่นผลิตภัณฑ์ | SI6924AEDQ-T1-E3 | SI6926ADQ-T1-E3 | SI6913DQ-T1-E3 | SI6925ADQ-T1-GE3 |
ผู้ผลิต | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | SI6924 | SI6926 | SI6913 | SI6925 |
ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
องค์ประกอบ | 2 N-Channel (Dual) Common Drain | 2 N-Channel (Dual) | 2 P-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 1W | 830mW | 830mW | 800mW |
บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 10nC @ 4.5V | 10.5nC @ 4.5V | 28nC @ 4.5V | 6nC @ 4.5V |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 8-TSSOP | 8-TSSOP | 8-TSSOP | 8-TSSOP |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | - | - | - | - |
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
ชุด | - | - | TrenchFET® | - |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 1.5V @ 250µA | 1V @ 250µA | 900mV @ 400µA | 1.8V @ 250µA |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 4.1A | 4.1A | 4.9A | 3.3A |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 33mOhm @ 4.6A, 4.5V | 30mOhm @ 4.5A, 4.5V | 21mOhm @ 5.8A, 4.5V | 45mOhm @ 3.9A, 4.5V |
คุณสมบัติ FET | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Logic Level Gate |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 28V | 20V | 12V | 20V |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล SI6924AEDQ-T1-E3 PDF และเอกสาร Vishay Siliconix สำหรับ SI6924AEDQ-T1-E3 - Vishay Siliconix
การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
---|---|---|
ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
บราซิล | 7 | |
ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
ประเทศอังกฤษ | 4 | |
อิตาลี | 5 | |
มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
นิวซีแลนด์ | 5 | |
เอเชีย | อินเดีย | 4 |
ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
---|---|
ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? โปรด เพิ่มลงในรถเข็น เราจะติดต่อคุณทันที