ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี SI7110DN-T1-E3
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Vishay Siliconix - SI7110DN-T1-E3 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Vishay Siliconix - SI7110DN-T1-E3
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
ผู้ผลิต | Vishay / Siliconix | |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 2.5V @ 250µA | |
Vgs (สูงสุด) | ±20V | |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | PowerPAK® 1212-8 | |
ชุด | TrenchFET® | |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 5.3mOhm @ 21.1A, 10V | |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 1.5W (Ta) | |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | PowerPAK® 1212-8 | |
บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) |
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 21 nC @ 4.5 V | |
ประเภท FET | N-Channel | |
คุณสมบัติ FET | - | |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 20 V | |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 13.5A (Ta) | |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | SI7110 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Vishay Siliconix SI7110DN-T1-E3
คุณสมบัติสินค้า | ||||
---|---|---|---|---|
รุ่นผลิตภัณฑ์ | SI7110DN-T1-E3 | SI7108DN-T1-GE3 | SI7112DN-T1-E3 | SI7107DN-T1-E3 |
ผู้ผลิต | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix |
ประเภท FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | P-Channel |
บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 21 nC @ 4.5 V | 30 nC @ 4.5 V | 27 nC @ 4.5 V | 44 nC @ 4.5 V |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 13.5A (Ta) | 14A (Ta) | 11.3A (Tc) | 9.8A (Ta) |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 20 V | 20 V | 30 V | 20 V |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | PowerPAK® 1212-8 | PowerPAK® 1212-8 | PowerPAK® 1212-8 | PowerPAK® 1212-8 |
ชุด | TrenchFET® | TrenchFET® | TrenchFET® | TrenchFET® |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | PowerPAK® 1212-8 | PowerPAK® 1212-8 | PowerPAK® 1212-8 | PowerPAK® 1212-8 |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 5.3mOhm @ 21.1A, 10V | 4.9mOhm @ 22A, 10V | 7.5mOhm @ 17.8A, 10V | 10.8mOhm @ 15.3A, 4.5V |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 2.5V @ 250µA | 2V @ 250µA | 1.5V @ 250µA | 1V @ 450µA |
คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
Vgs (สูงสุด) | ±20V | ±16V | ±12V | ±8V |
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -50°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | SI7110 | SI7108 | SI7112 | SI7107 |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 1.8V, 4.5V |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 1.5W (Ta) | 1.5W (Ta) | 1.5W (Ta) | 1.5W (Ta) |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล SI7110DN-T1-E3 PDF และเอกสาร Vishay Siliconix สำหรับ SI7110DN-T1-E3 - Vishay Siliconix
การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
---|---|---|
ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
บราซิล | 7 | |
ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
ประเทศอังกฤษ | 4 | |
อิตาลี | 5 | |
มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
นิวซีแลนด์ | 5 | |
เอเชีย | อินเดีย | 4 |
ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
---|---|
ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? โปรด เพิ่มลงในรถเข็น เราจะติดต่อคุณทันที