ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี SI7220DN-T1-GE3
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Vishay Siliconix - SI7220DN-T1-GE3 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Vishay Siliconix - SI7220DN-T1-GE3
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
ผู้ผลิต | Vishay / Siliconix | |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 3V @ 250µA | |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | PowerPAK® 1212-8 Dual | |
ชุด | TrenchFET® | |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 60mOhm @ 4.8A, 10V | |
เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 1.3W | |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | PowerPAK® 1212-8 Dual | |
บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) |
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | - | |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 20nC @ 10V | |
คุณสมบัติ FET | Logic Level Gate | |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 60V | |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 3.4A | |
องค์ประกอบ | 2 N-Channel (Dual) | |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | SI7220 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Vishay Siliconix SI7220DN-T1-GE3
คุณสมบัติสินค้า | ![]() |
![]() |
![]() |
![]() |
---|---|---|---|---|
รุ่นผลิตภัณฑ์ | SI7220DN-T1-GE3 | SI7216DN-T1-E3 | SI7216DN-T1-GE3 | SI7222DN-T1-E3 |
ผู้ผลิต | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix |
เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 1.3W | 20.8W | 20.8W | 17.8W |
บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
ชุด | TrenchFET® | TrenchFET® | TrenchFET® | TrenchFET® |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | PowerPAK® 1212-8 Dual | PowerPAK® 1212-8 Dual | PowerPAK® 1212-8 Dual | PowerPAK® 1212-8 Dual |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 3V @ 250µA | 3V @ 250µA | 3V @ 250µA | 1.6V @ 250µA |
องค์ประกอบ | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 60mOhm @ 4.8A, 10V | 32mOhm @ 5A, 10V | 32mOhm @ 5A, 10V | 42mOhm @ 5.7A, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | - | 670pF @ 20V | 670pF @ 20V | 700pF @ 20V |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 60V | 40V | 40V | 40V |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 3.4A | 6A | 6A | 6A |
คุณสมบัติ FET | Logic Level Gate | - | - | - |
ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | PowerPAK® 1212-8 Dual | PowerPAK® 1212-8 Dual | PowerPAK® 1212-8 Dual | PowerPAK® 1212-8 Dual |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -50°C ~ 150°C (TJ) | -50°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | SI7220 | SI7216 | SI7216 | SI7222 |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 20nC @ 10V | 19nC @ 10V | 19nC @ 10V | 29nC @ 10V |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล SI7220DN-T1-GE3 PDF และเอกสาร Vishay Siliconix สำหรับ SI7220DN-T1-GE3 - Vishay Siliconix
การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
---|---|---|
ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
บราซิล | 7 | |
ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
ประเทศอังกฤษ | 4 | |
อิตาลี | 5 | |
มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
นิวซีแลนด์ | 5 | |
เอเชีย | อินเดีย | 4 |
ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
---|---|
ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที