ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี SI7738DP-T1-GE3
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Vishay Siliconix - SI7738DP-T1-GE3 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Vishay Siliconix - SI7738DP-T1-GE3
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
ผู้ผลิต | Vishay / Siliconix | |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 4V @ 250µA | |
Vgs (สูงสุด) | ±20V | |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | PowerPAK® SO-8 | |
ชุด | TrenchFET® | |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 38mOhm @ 7.7A, 10V | |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 5.4W (Ta), 96W (Tc) | |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | PowerPAK® SO-8 | |
บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) |
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 2100 pF @ 75 V | |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 53 nC @ 10 V | |
ประเภท FET | N-Channel | |
คุณสมบัติ FET | - | |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 150 V | |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 30A (Tc) | |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | SI7738 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Vishay Siliconix SI7738DP-T1-GE3
คุณสมบัติสินค้า | ||||
---|---|---|---|---|
รุ่นผลิตภัณฑ์ | SI7738DP-T1-GE3 | SI7748DP-T1-GE3 | SI7726DN-T1-GE3 | SI7738DP-T1-E3 |
ผู้ผลิต | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix |
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -50°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 53 nC @ 10 V | 92 nC @ 10 V | 43 nC @ 10 V | 53 nC @ 10 V |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 4V @ 250µA | 2.7V @ 1mA | 2.6V @ 250µA | 4V @ 250µA |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 30A (Tc) | 50A (Tc) | 35A (Tc) | 30A (Tc) |
ประเภท FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
ชุด | TrenchFET® | SkyFET®, TrenchFET® | SkyFET®, TrenchFET® | TrenchFET® |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | PowerPAK® SO-8 | PowerPAK® SO-8 | PowerPAK® 1212-8 | PowerPAK® SO-8 |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | SI7738 | SI7748 | SI7726 | SI7738 |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 38mOhm @ 7.7A, 10V | 4.8mOhm @ 15A, 10V | 9.5mOhm @ 10A, 10V | 38mOhm @ 7.7A, 10V |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 10V |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 2100 pF @ 75 V | 3770 pF @ 15 V | 1765 pF @ 15 V | 2100 pF @ 75 V |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 150 V | 30 V | 30 V | 150 V |
บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Vgs (สูงสุด) | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | PowerPAK® SO-8 | PowerPAK® SO-8 | PowerPAK® 1212-8 | PowerPAK® SO-8 |
คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 5.4W (Ta), 96W (Tc) | 4.8W (Ta), 56W (Tc) | 3.8W (Ta), 52W (Tc) | 5.4W (Ta), 96W (Tc) |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล SI7738DP-T1-GE3 PDF และเอกสาร Vishay Siliconix สำหรับ SI7738DP-T1-GE3 - Vishay Siliconix
การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
---|---|---|
ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
บราซิล | 7 | |
ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
ประเทศอังกฤษ | 4 | |
อิตาลี | 5 | |
มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
นิวซีแลนด์ | 5 | |
เอเชีย | อินเดีย | 4 |
ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
---|---|
ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที