ต้องการราคาที่ดีกว่า?
[AddToCartTip]未找到翻译
จำนวน | ราคาต่อหน่วย | ราคารวม |
---|---|---|
1+ | $1.51 | $1.51 |
10+ | $1.348 | $13.48 |
100+ | $1.051 | $105.10 |
500+ | $0.868 | $434.00 |
1000+ | $0.686 | $686.00 |
ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี SI7810DN-T1-GE3
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Vishay Siliconix - SI7810DN-T1-GE3 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Vishay Siliconix - SI7810DN-T1-GE3
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
ผู้ผลิต | Vishay / Siliconix | |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 4.5V @ 250µA | |
Vgs (สูงสุด) | ±20V | |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | PowerPAK® 1212-8 | |
ชุด | TrenchFET® | |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 62mOhm @ 5.4A, 10V | |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 1.5W (Ta) | |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | PowerPAK® 1212-8 | |
บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) |
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 17 nC @ 10 V | |
ประเภท FET | N-Channel | |
คุณสมบัติ FET | - | |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V | |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 100 V | |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 3.4A (Ta) | |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | SI7810 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Vishay Siliconix SI7810DN-T1-GE3
คุณสมบัติสินค้า | ||||
---|---|---|---|---|
รุ่นผลิตภัณฑ์ | SI7810DN-T1-GE3 | SI7810DN-T1-E3 | SI7818DN-T1-E3 | SI7812DN-T1-GE3 |
ผู้ผลิต | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 1.5W (Ta) | 1.5W (Ta) | 1.5W (Ta) | 3.8W (Ta), 52W (Tc) |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | SI7810 | SI7810 | SI7818 | SI7812 |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 17 nC @ 10 V | 17 nC @ 10 V | 30 nC @ 10 V | 24 nC @ 10 V |
Vgs (สูงสุด) | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
ประเภท FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 4.5V @ 250µA | 4.5V @ 250µA | 4V @ 250µA | 3V @ 250µA |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V | 6V, 10V | 6V, 10V | 4.5V, 10V |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | PowerPAK® 1212-8 | PowerPAK® 1212-8 | PowerPAK® 1212-8 | PowerPAK® 1212-8 |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 100 V | 100 V | 150 V | 75 V |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | PowerPAK® 1212-8 | PowerPAK® 1212-8 | PowerPAK® 1212-8 | PowerPAK® 1212-8 |
คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
ชุด | TrenchFET® | TrenchFET® | TrenchFET® | TrenchFET® |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 62mOhm @ 5.4A, 10V | 62mOhm @ 5.4A, 10V | 135mOhm @ 3.4A, 10V | 37mOhm @ 7.2A, 10V |
ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 3.4A (Ta) | 3.4A (Ta) | 2.2A (Ta) | 16A (Tc) |
บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล SI7810DN-T1-GE3 PDF และเอกสาร Vishay Siliconix สำหรับ SI7810DN-T1-GE3 - Vishay Siliconix
การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
---|---|---|
ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
บราซิล | 7 | |
ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
ประเทศอังกฤษ | 4 | |
อิตาลี | 5 | |
มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
นิวซีแลนด์ | 5 | |
เอเชีย | อินเดีย | 4 |
ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
---|---|
ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? [AddToCartTip]未找到翻译