ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี SIA411DJ-T1-E3
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Vishay Siliconix - SIA411DJ-T1-E3 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Vishay Siliconix - SIA411DJ-T1-E3
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
ผู้ผลิต | Vishay / Siliconix | |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 1V @ 250µA | |
Vgs (สูงสุด) | ±8V | |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | PowerPAK® SC-70-6 | |
ชุด | TrenchFET® | |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 30mOhm @ 5.9A, 4.5V | |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 3.5W (Ta), 19W (Tc) | |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | PowerPAK® SC-70-6 | |
บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) |
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 1200 pF @ 10 V | |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 38 nC @ 8 V | |
ประเภท FET | P-Channel | |
คุณสมบัติ FET | - | |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V | |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 20 V | |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 12A (Tc) | |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | SIA411 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Vishay Siliconix SIA411DJ-T1-E3
คุณสมบัติสินค้า | ||||
---|---|---|---|---|
รุ่นผลิตภัณฑ์ | SIA411DJ-T1-E3 | SIA110DJ-T1-GE3 | SIA415DJ-T1-GE3 | SIA413ADJ-T1-GE3 |
ผู้ผลิต | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix |
Vgs (สูงสุด) | ±8V | ±20V | ±12V | ±8V |
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 1V @ 250µA | 4V @ 250µA | 1.5V @ 250µA | 1V @ 250µA |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | SIA411 | SIA110 | SIA415 | SIA413 |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 3.5W (Ta), 19W (Tc) | 3.5W (Ta), 19W (Tc) | 3.5W (Ta), 19W (Tc) | 19W (Tc) |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
ประเภท FET | P-Channel | N-Channel | P-Channel | P-Channel |
ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 1200 pF @ 10 V | 550 pF @ 50 V | 1250 pF @ 10 V | 1800 pF @ 10 V |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | PowerPAK® SC-70-6 | PowerPAK® SC-70-6 | PowerPAK® SC-70-6 | PowerPAK® SC-70-6 |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V | 7.5V, 10V | 2.5V, 4.5V | 1.5V, 4.5V |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 20 V | 100 V | 20 V | 12 V |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | PowerPAK® SC-70-6 | PowerPAK® SC-70-6 | PowerPAK® SC-70-6 | PowerPAK® SC-70-6 Single |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 38 nC @ 8 V | 13 nC @ 10 V | 47 nC @ 10 V | 57 nC @ 8 V |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 30mOhm @ 5.9A, 4.5V | 55mOhm @ 4A, 10V | 35mOhm @ 5.6A, 4.5V | 29mOhm @ 6.7A, 4.5V |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 12A (Tc) | 5.4A (Ta), 12A (Tc) | 12A (Tc) | 12A (Tc) |
คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
ชุด | TrenchFET® | TrenchFET® Gen IV | TrenchFET® | TrenchFET® |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล SIA411DJ-T1-E3 PDF และเอกสาร Vishay Siliconix สำหรับ SIA411DJ-T1-E3 - Vishay Siliconix
การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
---|---|---|
ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
บราซิล | 7 | |
ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
ประเทศอังกฤษ | 4 | |
อิตาลี | 5 | |
มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
นิวซีแลนด์ | 5 | |
เอเชีย | อินเดีย | 4 |
ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
---|---|
ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที