ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี SIB437EDKT-T1-GE3
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Vishay Siliconix - SIB437EDKT-T1-GE3 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Vishay Siliconix - SIB437EDKT-T1-GE3
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
ผู้ผลิต | Vishay / Siliconix | |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 700mV @ 250µA | |
Vgs (สูงสุด) | ±5V | |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | PowerPAK® TSC75-6 | |
ชุด | TrenchFET® | |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 34mOhm @ 3A, 4.5V | |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 2.4W (Ta), 13W (Tc) | |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | PowerPAK® TSC-75-6 | |
บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) |
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 16 nC @ 4.5 V | |
ประเภท FET | P-Channel | |
คุณสมบัติ FET | - | |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 1.2V, 4.5V | |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 8 V | |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 9A (Tc) | |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | SIB437 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Vishay Siliconix SIB437EDKT-T1-GE3
คุณสมบัติสินค้า | ||||
---|---|---|---|---|
รุ่นผลิตภัณฑ์ | SIB437EDKT-T1-GE3 | SIB406EDK-T1-GE3 | SIB800EDK-T1-GE3 | SIB417AEDK-T1-GE3 |
ผู้ผลิต | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix |
คุณสมบัติ FET | - | - | Schottky Diode (Isolated) | - |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 9A (Tc) | 6A (Tc) | 1.5A (Tc) | 9A (Tc) |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | SIB437 | SIB406 | SIB800 | SIB417 |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 8 V | 20 V | 20 V | 8 V |
ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | PowerPAK® TSC75-6 | PowerPAK® SC-75-6 | PowerPAK® SC-75-6 | PowerPAK® SC-75-6 |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 700mV @ 250µA | 1.4V @ 250µA | 1V @ 250µA | 1V @ 250µA |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 2.4W (Ta), 13W (Tc) | 1.95W (Ta), 10W (Tc) | 1.1W (Ta), 3.1W (Tc) | 2.4W (Ta), 13W (Tc) |
Vgs (สูงสุด) | ±5V | ±12V | ±6V | ±5V |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 1.2V, 4.5V | 2.5V, 4.5V | 1.5V, 4.5V | 1.2V, 4.5V |
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | PowerPAK® TSC-75-6 | PowerPAK® SC-75-6 | PowerPAK® SC-75-6 | PowerPAK® SC-75-6 |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 34mOhm @ 3A, 4.5V | 46mOhm @ 3.9A, 4.5V | 225mOhm @ 1.6A, 4.5V | 32mOhm @ 3A, 4.5V |
ประเภท FET | P-Channel | N-Channel | N-Channel | P-Channel |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 16 nC @ 4.5 V | 12 nC @ 10 V | 1.7 nC @ 4.5 V | 18.5 nC @ 5 V |
ชุด | TrenchFET® | TrenchFET® | LITTLE FOOT® | TrenchFET® |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล SIB437EDKT-T1-GE3 PDF และเอกสาร Vishay Siliconix สำหรับ SIB437EDKT-T1-GE3 - Vishay Siliconix
การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
---|---|---|
ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
บราซิล | 7 | |
ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
ประเทศอังกฤษ | 4 | |
อิตาลี | 5 | |
มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
นิวซีแลนด์ | 5 | |
เอเชีย | อินเดีย | 4 |
ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
---|---|
ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที