ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี SIJ800DP-T1-GE3
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Vishay Siliconix - SIJ800DP-T1-GE3 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Vishay Siliconix - SIJ800DP-T1-GE3
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
ผู้ผลิต | Vishay / Siliconix | |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 3V @ 250µA | |
Vgs (สูงสุด) | ±20V | |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | PowerPAK® SO-8 | |
ชุด | TrenchFET® | |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 9.5mOhm @ 20A, 10V | |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 4.2W (Ta), 35.7W (Tc) | |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | PowerPAK® SO-8 | |
บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) |
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 2400 pF @ 20 V | |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 56 nC @ 10 V | |
ประเภท FET | N-Channel | |
คุณสมบัติ FET | - | |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 40 V | |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 20A (Tc) | |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | SIJ800 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Vishay Siliconix SIJ800DP-T1-GE3
คุณสมบัติสินค้า | ||||
---|---|---|---|---|
รุ่นผลิตภัณฑ์ | SIJ800DP-T1-GE3 | SIJ482DP-T1-GE3 | SIJ470DP-T1-GE3 | SIJ186DP-T1-GE3 |
ผู้ผลิต | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix |
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 2400 pF @ 20 V | 2425 pF @ 40 V | 2050 pF @ 50 V | 1710 pF @ 30 V |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 7.5V, 10V | 6V, 10V |
Vgs (สูงสุด) | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 40 V | 80 V | 100 V | 60 V |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 3V @ 250µA | 2.7V @ 250µA | 3.5V @ 250µA | 3.6V @ 250µA |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 9.5mOhm @ 20A, 10V | 6.2mOhm @ 20A, 10V | 9.1mOhm @ 20A, 10V | 4.5mOhm @ 15A, 10V |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 4.2W (Ta), 35.7W (Tc) | 5W (Ta), 69.4W (Tc) | 5W (Ta), 56.8W (Tc) | 5W (Ta), 57W (Tc) |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 56 nC @ 10 V | 71 nC @ 10 V | 56 nC @ 10 V | 37 nC @ 10 V |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | PowerPAK® SO-8 | PowerPAK® SO-8 | PowerPAK® SO-8 | PowerPAK® SO-8 |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | SIJ800 | SIJ482 | SIJ470 | SIJ186 |
ชุด | TrenchFET® | TrenchFET® | ThunderFET® | TrenchFET® Gen IV |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 20A (Tc) | 60A (Tc) | 58.8A (Tc) | 23A (Ta), 79.4A (Tc) |
ประเภท FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | PowerPAK® SO-8 | PowerPAK® SO-8 | PowerPAK® SO-8 | PowerPAK® SO-8 |
คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล SIJ800DP-T1-GE3 PDF และเอกสาร Vishay Siliconix สำหรับ SIJ800DP-T1-GE3 - Vishay Siliconix
การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
---|---|---|
ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
บราซิล | 7 | |
ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
ประเทศอังกฤษ | 4 | |
อิตาลี | 5 | |
มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
นิวซีแลนด์ | 5 | |
เอเชีย | อินเดีย | 4 |
ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
---|---|
ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที