ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี SIR106DP-T1-RE3
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Vishay Siliconix - SIR106DP-T1-RE3 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Vishay Siliconix - SIR106DP-T1-RE3
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
ผู้ผลิต | Vishay / Siliconix | |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 3.4V @ 250µA | |
Vgs (สูงสุด) | ±20V | |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | PowerPAK® SO-8 | |
ชุด | TrenchFET® Gen IV | |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 8mOhm @ 15A, 10V | |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 3.2W (Ta), 83.3W (Tc) | |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | PowerPAK® SO-8 | |
บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) |
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 3610 pF @ 50 V | |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 64 nC @ 10 V | |
ประเภท FET | N-Channel | |
คุณสมบัติ FET | - | |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 7.5V, 10V | |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 100 V | |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 16.1A (Ta), 65.8A (Tc) | |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | SIR106 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Vishay Siliconix SIR106DP-T1-RE3
คุณสมบัติสินค้า | ||||
---|---|---|---|---|
รุ่นผลิตภัณฑ์ | SIR106DP-T1-RE3 | SIR124DP-T1-RE3 | SIR140DP-T1-RE3 | SIR106ADP-T1-RE3 |
ผู้ผลิต | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix |
คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | PowerPAK® SO-8 | PowerPAK® SO-8 | PowerPAK® SO-8 | PowerPAK® SO-8 |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 3610 pF @ 50 V | 1666 pF @ 40 V | 8150 pF @ 10 V | 2440 pF @ 50 V |
บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 100 V | 80 V | 25 V | 100 V |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | SIR106 | SIR124 | SIR140 | SIR106 |
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 8mOhm @ 15A, 10V | 8.4mOhm @ 10A, 10V | 0.67mOhm @ 20A, 10V | 8mOhm @ 15A, 10V |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 7.5V, 10V | 7.5V, 10V | 4.5V, 10V | 7.5V, 10V |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | PowerPAK® SO-8 | PowerPAK® SO-8 | PowerPAK® SO-8 | PowerPAK® SO-8 |
ประเภท FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 16.1A (Ta), 65.8A (Tc) | 16.1A (Ta), 56.8A (Tc) | 71.9A (Ta), 100A (Tc) | 16.1A (Ta), 65.8 (Tc) |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 64 nC @ 10 V | 40 nC @ 10 V | 170 nC @ 10 V | 52 nC @ 10 V |
Vgs (สูงสุด) | ±20V | ±20V | +20V, -16V | ±20V |
ชุด | TrenchFET® Gen IV | TrenchFET® Gen IV | TrenchFET® Gen IV | TrenchFET® Gen IV |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 3.4V @ 250µA | 3.8V @ 250µA | 2.1V @ 250µA | 4V @ 250µA |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 3.2W (Ta), 83.3W (Tc) | 5W (Ta), 62.5W (Tc) | 6.25W (Ta), 104W (Tc) | 5W (Ta), 83.3W (Tc) |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล SIR106DP-T1-RE3 PDF และเอกสาร Vishay Siliconix สำหรับ SIR106DP-T1-RE3 - Vishay Siliconix
การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
---|---|---|
ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
บราซิล | 7 | |
ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
ประเทศอังกฤษ | 4 | |
อิตาลี | 5 | |
มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
นิวซีแลนด์ | 5 | |
เอเชีย | อินเดีย | 4 |
ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
---|---|
ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที