ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี SISA35DN-T1-GE3
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Vishay Siliconix - SISA35DN-T1-GE3 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Vishay Siliconix - SISA35DN-T1-GE3
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
ผู้ผลิต | Vishay / Siliconix | |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 2.2V @ 250µA | |
Vgs (สูงสุด) | ±20V | |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | PowerPAK® 1212-8 | |
ชุด | TrenchFET® Gen III | |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 19mOhm @ 9A, 10V | |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 3.2W (Ta), 24W (Tc) | |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | PowerPAK® 1212-8 | |
บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) |
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 1500 pF @ 15 V | |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 42 nC @ 10 V | |
ประเภท FET | P-Channel | |
คุณสมบัติ FET | - | |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 30 V | |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 10A (Ta), 16A (Tc) | |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | SISA35 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Vishay Siliconix SISA35DN-T1-GE3
คุณสมบัติสินค้า | ||||
---|---|---|---|---|
รุ่นผลิตภัณฑ์ | SISA35DN-T1-GE3 | SISA72ADN-T1-GE3 | SISA26DN-T1-GE3 | SISA40DN-T1-GE3 |
ผู้ผลิต | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 2.2V @ 250µA | 2.4V @ 250µA | 2.5V @ 250µA | 1.5V @ 250µA |
บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 3.2W (Ta), 24W (Tc) | 3.7W (Ta), 52W (Tc) | 39W (Tc) | 3.7W (Ta), 52W (Tc) |
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | SISA35 | SISA72 | SISA26 | SISA40 |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 42 nC @ 10 V | 50 nC @ 10 V | 44 nC @ 10 V | 53 nC @ 10 V |
ประเภท FET | P-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
ชุด | TrenchFET® Gen III | TrenchFET® Gen IV | TrenchFET® Gen IV | TrenchFET® Gen IV |
ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 19mOhm @ 9A, 10V | 3.25mOhm @ 10A, 10V | 2.65mOhm @ 15A, 10V | 1.1mOhm @ 10A, 10V |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 30 V | 40 V | 25 V | 20 V |
Vgs (สูงสุด) | ±20V | +20V, -16V | +16V, -12V | +12V, -8V |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | PowerPAK® 1212-8 | PowerPAK® 1212-8 | PowerPAK® 1212-8 | PowerPAK® 1212-8 |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 10A (Ta), 16A (Tc) | 25.4A (Ta), 94A (Tc) | 60A (Tc) | 43.7A (Ta), 162A (Tc) |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 2.5V, 10V |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | PowerPAK® 1212-8 | PowerPAK® 1212-8 | PowerPAK® 1212-8 | PowerPAK® 1212-8 |
คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 1500 pF @ 15 V | 2530 pF @ 20 V | 2247 pF @ 10 V | 3415 pF @ 10 V |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล SISA35DN-T1-GE3 PDF และเอกสาร Vishay Siliconix สำหรับ SISA35DN-T1-GE3 - Vishay Siliconix
การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
---|---|---|
ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
บราซิล | 7 | |
ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
ประเทศอังกฤษ | 4 | |
อิตาลี | 5 | |
มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
นิวซีแลนด์ | 5 | |
เอเชีย | อินเดีย | 4 |
ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
---|---|
ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที