ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี SISS23DN-T1-GE3
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Vishay Siliconix - SISS23DN-T1-GE3 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Vishay Siliconix - SISS23DN-T1-GE3
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
ผู้ผลิต | Vishay / Siliconix | |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 900mV @ 250µA | |
Vgs (สูงสุด) | ±8V | |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | PowerPAK® 1212-8S | |
ชุด | TrenchFET® | |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 4.5mOhm @ 20A, 4.5V | |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 4.8W (Ta), 57W (Tc) | |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | PowerPAK® 1212-8S | |
บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) |
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
อุณหภูมิในการทำงาน | -50°C ~ 150°C (TJ) | |
ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 8840 pF @ 15 V | |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 300 nC @ 10 V | |
ประเภท FET | P-Channel | |
คุณสมบัติ FET | - | |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V | |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 20 V | |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 50A (Tc) | |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | SISS23 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Vishay Siliconix SISS23DN-T1-GE3
คุณสมบัติสินค้า | ||||
---|---|---|---|---|
รุ่นผลิตภัณฑ์ | SISS23DN-T1-GE3 | SISS04DN-T1-GE3 | SISS32DN-T1-GE3 | SISHA12ADN-T1-GE3 |
ผู้ผลิต | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 4.8W (Ta), 57W (Tc) | 5W (Ta), 65.7W (Tc) | 5W (Ta), 65.7W (Tc) | 3.5W (Ta), 28W (Tc) |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | PowerPAK® 1212-8S | PowerPAK® 1212-8S | PowerPAK® 1212-8S | PowerPAK® 1212-8SH |
ชุด | TrenchFET® | TrenchFET® Gen IV | TrenchFET® Gen IV | TrenchFET® Gen IV |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V | 4.5V, 10V | 7.5V, 10V | 4.5V, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 8840 pF @ 15 V | 4460 pF @ 15 V | 1930 pF @ 40 V | 2070 pF @ 15 V |
อุณหภูมิในการทำงาน | -50°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
ประเภท FET | P-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 20 V | 30 V | 80 V | 30 V |
บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | PowerPAK® 1212-8S | PowerPAK® 1212-8S | PowerPAK® 1212-8S | PowerPAK® 1212-8SH |
Vgs (สูงสุด) | ±8V | +16V, -12V | ±20V | +20V, -16V |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 4.5mOhm @ 20A, 4.5V | 1.2mOhm @ 15A, 10V | 7.2mOhm @ 10A, 10V | 4.3mOhm @ 10A, 10V |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 300 nC @ 10 V | 93 nC @ 10 V | 42 nC @ 10 V | 45 nC @ 10 V |
คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 50A (Tc) | 50.5A (Ta), 80A (Tc) | 17.4A (Ta), 63A (Tc) | 22A (Ta), 25A (Tc) |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | SISS23 | SISS04 | SISS32 | SISHA12 |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 900mV @ 250µA | 2.2V @ 250µA | 3.8V @ 250µA | 2.2V @ 250µA |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล SISS23DN-T1-GE3 PDF และเอกสาร Vishay Siliconix สำหรับ SISS23DN-T1-GE3 - Vishay Siliconix
การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
---|---|---|
ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
บราซิล | 7 | |
ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
ประเทศอังกฤษ | 4 | |
อิตาลี | 5 | |
มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
นิวซีแลนด์ | 5 | |
เอเชีย | อินเดีย | 4 |
ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
---|---|
ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที