ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี SISS98DN-T1-GE3
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Vishay Siliconix - SISS98DN-T1-GE3 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Vishay Siliconix - SISS98DN-T1-GE3
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
ผู้ผลิต | Vishay / Siliconix | |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 4V @ 250µA | |
Vgs (สูงสุด) | ±20V | |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | PowerPAK® 1212-8 | |
ชุด | ThunderFET® | |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 105mOhm @ 7A, 10V | |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 57W (Tc) | |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | PowerPAK® 1212-8 | |
บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) |
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 608 pF @ 100 V | |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 14 nC @ 7.5 V | |
ประเภท FET | N-Channel | |
คุณสมบัติ FET | - | |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 7.5V, 10V | |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 200 V | |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 14.1A (Tc) | |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | SISS98 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Vishay Siliconix SISS98DN-T1-GE3
คุณสมบัติสินค้า | ||||
---|---|---|---|---|
รุ่นผลิตภัณฑ์ | SISS98DN-T1-GE3 | SISS63DN-T1-GE3 | SISS66DN-T1-GE3 | SISS65DN-T1-GE3 |
ผู้ผลิต | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 57W (Tc) | 5W (Ta), 65.8W (Tc) | 5.1W (Ta), 65.8W (Tc) | 5.1W (Ta), 65.8W (Tc) |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | PowerPAK® 1212-8 | PowerPAK® 1212-8S | PowerPAK® 1212-8S | PowerPAK® 1212-8S |
บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
คุณสมบัติ FET | - | - | Schottky Diode (Body) | - |
ประเภท FET | N-Channel | P-Channel | N-Channel | P-Channel |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 4V @ 250µA | 1.5V @ 250µA | 2.5V @ 250µA | 2.3V @ 250µA |
ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 14 nC @ 7.5 V | 236 nC @ 8 V | 85.5 nC @ 10 V | 138 nC @ 10 V |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | PowerPAK® 1212-8 | PowerPAK® 1212-8S | PowerPAK® 1212-8S | PowerPAK® 1212-8S |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 105mOhm @ 7A, 10V | 2.7mOhm @ 15A, 10V | 1.38mOhm @ 20A, 10V | 4.6mOhm @ 15A, 10V |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 200 V | 20 V | 30 V | 30 V |
Vgs (สูงสุด) | ±20V | ±12V | +20V, -16V | ±20V |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 608 pF @ 100 V | 7080 pF @ 10 V | 3327 pF @ 15 V | 4930 pF @ 15 V |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 14.1A (Tc) | 35.1A (Ta), 127.5A (Tc) | 49.1A (Ta), 178.3A (Tc) | 25.9A (Ta), 94A (Tc) |
ชุด | ThunderFET® | TrenchFET® Gen III | TrenchFET® Gen IV | TrenchFET® Gen III |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | SISS98 | SISS63 | SISS66 | SISS65 |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 7.5V, 10V | 2.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล SISS98DN-T1-GE3 PDF และเอกสาร Vishay Siliconix สำหรับ SISS98DN-T1-GE3 - Vishay Siliconix
การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
---|---|---|
ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
บราซิล | 7 | |
ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
ประเทศอังกฤษ | 4 | |
อิตาลี | 5 | |
มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
นิวซีแลนด์ | 5 | |
เอเชีย | อินเดีย | 4 |
ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
---|---|
ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที