Name: Vishay Siliconix TN0200K-T1-E3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: TN0200K-T1-E3

วิธีขนส่ง

เวลาจัดส่ง

รายการในสต็อคสามารถจัดส่งได้ภายใน 24 ชั่วโมงบางส่วนจะถูกจัดส่งภายใน 1-2 วันนับจากวันที่รายการทั้งหมดมาถึงคลังสินค้าของเราและเรือ Allelco สั่งซื้อวันละครั้งเวลาประมาณ 17:00 น. ยกเว้นวันอาทิตย์เมื่อสินค้าถูกจัดส่งเวลาส่งมอบโดยประมาณขึ้นอยู่กับวิธีการจัดส่งและปลายทางการจัดส่งตารางด้านล่างแสดงให้เห็นว่าเป็นเวลาโลจิสติกสำหรับบางประเทศทั่วไป

ค่าจัดส่ง

ใช้บัญชีด่วนของคุณสำหรับการจัดส่งหากคุณมี
ใช้บัญชีของเราสำหรับการจัดส่งอ้างถึงตารางด้านล่างสำหรับค่าใช้จ่ายโดยประมาณ

(กรอบเวลา / ประเทศ / ขนาดแพ็คเกจที่แตกต่างกันมีราคาแตกต่างกัน)

วิธีการจัดส่ง

การจัดส่งทั่วไปทั่วโลกโดย DHL / UPS / FedEx / TNT / EMS / SF เราสนับสนุน
วิธีการจัดส่งอื่น ๆ เพิ่มเติมโปรดติดต่อกับผู้จัดการลูกค้าของคุณ

การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป
ภูมิภาค	ประเทศ	เวลาโลจิสติก (วัน)
อเมริกา	สหรัฐ	5
อเมริกา	บราซิล	7
ยุโรป	ประเทศเยอรมนี	5
	ประเทศอังกฤษ	4
	อิตาลี	5
มหาสมุทร	ออสเตรเลีย	6
มหาสมุทร	นิวซีแลนด์	5
เอเชีย	อินเดีย	4
เอเชีย	ประเทศญี่ปุ่น	4
ตะวันออกกลาง	ประเทศอิสราเอล	6

อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx
ค่าจัดส่ง (กก.)	DHL อ้างอิง (USD $)
0.00kg-1.00kg	USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg	USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg	USD$50.00 - USD$100.00

บันทึก:: ตารางด้านบนมีไว้สำหรับการอ้างอิงเท่านั้นอาจมีอคติข้อมูลบางอย่างสำหรับปัจจัยที่ไม่สามารถควบคุมได้
ติดต่อเราหากคุณมีคำถามใด ๆ

คุณสมบัติสินค้า	ค่าคุณสมบัติ
ผู้ผลิต	Vishay / Siliconix
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id	1V @ 50µA
เทคโนโลยี	MOSFET (Metal Oxide)
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ	SOT-23-3 (TO-236)
ชุด	-
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs	400mOhm @ 600mA, 4.5V
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
บรรจุุภัณฑ์	Cut Tape (CT)

คุณสมบัติสินค้า	ค่าคุณสมบัติ
ประเภทการติดตั้ง	Surface Mount
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	2 nC @ 4.5 V
ประเภท FET	N-Channel
คุณสมบัติ FET	-
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss)	20 V
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส	730mA (Ta)
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน	TN0200

คุณสมบัติสินค้า
รุ่นผลิตภัณฑ์	TN0200K-T1-E3	TN0106N3-G-P003	TN0104N8-G	TN0104N3-G
ผู้ผลิต	Vishay Siliconix	Microchip Technology	Microchip Technology	Microchip Technology
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id	1V @ 50µA	2V @ 500µA	1.6V @ 500µA	1.6V @ 500µA
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน	TN0200	TN0106	TN0104	TN0104
คุณสมบัติ FET	-	-	-	-
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	2 nC @ 4.5 V	-	-	-
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส	730mA (Ta)	350mA (Tj)	630mA (Tj)	450mA (Ta)
ชุด	-	-	-	-
ประเภทการติดตั้ง	Surface Mount	Through Hole	Surface Mount	Through Hole
บรรจุุภัณฑ์	Cut Tape (CT)	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)	Bag
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ	SOT-23-3 (TO-236)	TO-92-3	TO-243AA (SOT-89)	TO-92-3
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss)	20 V	60 V	40 V	40 V
เทคโนโลยี	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)
ประเภท FET	N-Channel	N-Channel	N-Channel	N-Channel
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs	400mOhm @ 600mA, 4.5V	3Ohm @ 500mA, 10V	2Ohm @ 1A, 10V	1.8Ohm @ 1A, 10V
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	TO-243AA	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

โปรดยึดฉบับภาษาอังกฤษเป็นฉบับทางการ

TN0200K-T1-E3 - Vishay Siliconix

ขนาด

ชิ้นส่วนที่มีขนาดคล้ายกัน

TN0200K-T1-E3 Datasheet PDF

สิ้นค้าที่ลูกค้าคนอื่นสนใจ

สินค้าแนะนำ

วิธีขนส่ง

เวลาจัดส่ง

ค่าจัดส่ง

วิธีการจัดส่ง

สนับสนุนการชำระ

คู่ค้าด้านโซ่อุปทานที่ซื่อสัตย์ของคุณ -

หากพบปัญหาใด ๆ โปรดติดต่อเรา

การรับรองและการเป็นสมาชิค

TN0200K-T1-E3

ตะกร้าสินค้า (0 Items)

เปรียบเทียบรายการ (0 Items)

ข้อเสนอแนะ

โปรดยึดฉบับภาษาอังกฤษเป็นฉบับทางการกลับ

TN0200K-T1-E3 - Vishay Siliconix

ขนาด

ชิ้นส่วนที่มีขนาดคล้ายกัน

TN0200K-T1-E3 Datasheet PDF

สิ้นค้าที่ลูกค้าคนอื่นสนใจ

สินค้าแนะนำ

วิธีขนส่ง

เวลาจัดส่ง

ค่าจัดส่ง

วิธีการจัดส่ง

สนับสนุนการชำระ

คู่ค้าด้านโซ่อุปทานที่ซื่อสัตย์ของคุณ -

หากพบปัญหาใด ๆ โปรดติดต่อเรา

การรับรองและการเป็นสมาชิค

TN0200K-T1-E3

ตะกร้าสินค้า (0 Items)

เปรียบเทียบรายการ (0 Items)

ข้อเสนอแนะ

โปรดยึดฉบับภาษาอังกฤษเป็นฉบับทางการ