ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี BYC30-1200PQ
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ WeEn Semiconductors - BYC30-1200PQ คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ WeEn Semiconductors - BYC30-1200PQ
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | WeEn Semiconductors Co., Ltd | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 3.3 V @ 30 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 1200 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220AC | |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 65 ns |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-2 | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | 175°C (Max) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 250 µA @ 1200 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 30A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | BYC30 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ WeEn Semiconductors BYC30-1200PQ
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | BYC30-1200PQ | BYC30W-600PT2Q | BYC15X-600PQ | BYC30W-1200PQ |
| ผู้ผลิต | WeEn Semiconductors | WeEn Semiconductors | WeEn Semiconductors | WeEn Semiconductors |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Bulk | Tube | Tube |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 65 ns | 34 ns | 18 ns | 65 ns |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 1200 V | 600 V | 600 V | 1200 V |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 3.3 V @ 30 A | 2.75 V @ 30 A | 3.2 V @ 15 A | 3.3 V @ 30 A |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220AC | TO-247-2 | TO-220F | TO-247-2 |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | 175°C (Max) | 175°C (Max) | 175°C (Max) | 175°C (Max) |
| ชุด | - | - | - | - |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-2 | TO-247-2 | TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab | TO-247-2 |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 30A | 30A | 15A | 30A |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 250 µA @ 1200 V | 10 µA @ 600 V | 10 µA @ 600 V | 250 µA @ 1200 V |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | BYC30 | BYC30 | BYC15 | BYC30 |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | - | - | - |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard | Standard | Standard |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล BYC30-1200PQ PDF และเอกสาร WeEn Semiconductors สำหรับ BYC30-1200PQ - WeEn Semiconductors
BYC30B-600PWEEN/NXP
BYC20-600PFreescale / NXP SemiconductorsBYC20D-600PFreescale / NXP SemiconductorsBYC30W-600PT2QWeEn SemiconductorsDIODE GEN PURP 600V 30A TO247-2BYC30-600PFreescale / NXP SemiconductorsBYC30W-1200PWeEn Semiconductors Co., LtdBYC15X-600PQWeEn SemiconductorsDIODE GEN PURP 600V 15A TO220FBYC30DW-600PFreescale / NXP SemiconductorsBYC30W-1200P MOSWeEn Semiconductors Co., LtdBYC30U-600PFreescale / NXP SemiconductorsBYC20-600Freescale / NXP SemiconductorsBYC30-1200PWeEn Semiconductors Co., LtdBYC15X-600PWeEn Semiconductors Co., LtdBYC30W-600PFreescale / NXP SemiconductorsBYC20X-600PWEEN/NXPBYC20DX-600PFreescale / NXP SemiconductorsBYC20X-600Freescale / NXP SemiconductorsBYC30W-1200PQWeEn SemiconductorsDIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO247-2| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที