ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี NXPSC08650Q
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ WeEn Semiconductors - NXPSC08650Q คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ WeEn Semiconductors - NXPSC08650Q
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | WeEn Semiconductors Co., Ltd | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.7 V @ 8 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 650 V | |
| เทคโนโลยี | SiC (Silicon Carbide) Schottky | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220AC | |
| ความเร็ว | No Recovery Time > 500mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 0 ns |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-2 | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | 175°C (Max) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 230 µA @ 650 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 8A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | 260pF @ 1V, 1MHz | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | NXPSC |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ WeEn Semiconductors NXPSC08650Q
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | NXPSC08650Q | NXPSC10650B6J | NXPSC04650DJ | NXPSC04650D6J |
| ผู้ผลิต | WeEn Semiconductors | WeEn Semiconductors | WeEn Semiconductors | WeEn Semiconductors |
| ชุด | - | - | - | - |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.7 V @ 8 A | 1.7 V @ 10 A | 1.7 V @ 4 A | 1.7 V @ 4 A |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 650 V | 650 V | 650 V | 650 V |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220AC | D2PAK | DPAK | DPAK |
| ความเร็ว | No Recovery Time > 500mA (Io) | No Recovery Time > 500mA (Io) | No Recovery Time > 500mA (Io) | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 8A | 10A | 4A | 4A |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 230 µA @ 650 V | 250 µA @ 650 V | 170 µA @ 650 V | 170 µA @ 650 V |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | NXPSC | NXPSC | NXPSC | NXPSC |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | 175°C (Max) | 175°C (Max) | 175°C (Max) | 175°C (Max) |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | 260pF @ 1V, 1MHz | 300pF @ 1V, 1MHz | 130pF @ 1V, 1MHz | 130pF @ 1V, 1MHz |
| เทคโนโลยี | SiC (Silicon Carbide) Schottky | SiC (Silicon Carbide) Schottky | SiC (Silicon Carbide) Schottky | SiC (Silicon Carbide) Schottky |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 0 ns | 0 ns | 0 ns | 0 ns |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-2 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล NXPSC08650Q PDF และเอกสาร WeEn Semiconductors สำหรับ NXPSC08650Q - WeEn Semiconductors
NXPSC08650WEEN/NXP
NXPSC20650WFreescale / NXP Semiconductors
NXPSC06650DWeEn Semiconductors Co., LtdNXPSC10650DWEEN/NXPNXPSC10650B6JWeEn SemiconductorsDIODE SIL CARBIDE 650V 10A D2PAKNXPSC10650BWEEN/NXPNXPSC06650Freescale / NXP SemiconductorsNXPSC06650BFreescale / NXP SemiconductorsNXPSC08650DWEEN/NXPNXPSC10650Freescale / NXP SemiconductorsNXPSC04650DJWeEn SemiconductorsDIODE SIL CARBIDE 650V 4A DPAKNXPSC10650XWEEN/NXPNXPSC08650BWeEn Semiconductors Co., LtdNXPSC04650D6JWeEn SemiconductorsDIODE SIL CARBIDE 650V 4A DPAKNXPSC12650WEEN/NXPNXPSC04650B6JWeEn SemiconductorsDIODE SIL CARBIDE 650V 4A D2PAKNXPSC10650QWeEn SemiconductorsDIODE SIL CARB 650V 10A TO220ACNXPSC06650XWeEn Semiconductors Co., Ltd| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที