ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี W71NW20GD3DW
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Winbond Electronics - W71NW20GD3DW คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Winbond Electronics - W71NW20GD3DW
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Winbond Electronics Corporation | |
| เขียนวัฏจักรเวลา - คำ, หน้า | - | |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน | 1.7V ~ 1.95V | |
| เทคโนโลยี | FLASH - NAND, DRAM - LPDDR | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 130-FBGA (8x9) | |
| ชุด | - | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 130-VFBGA | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| อุณหภูมิในการทำงาน | -40°C ~ 85°C (TA) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| ประเภทหน่วยความจำ | Non-Volatile, Volatile | |
| ขนาดหน่วยความจำ | 2Gbit (NAND), 1Gbit (LPDDR) | |
| องค์กรหน่วยความจำ | - | |
| อินเตอร์เฟซหน่วยความจำ | - | |
| รูปแบบหน่วยความจำ | FLASH, RAM | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | W71NW20 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Winbond Electronics W71NW20GD3DW
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | W71NW20GD3DW | AT24C512-10PI-1.8 | W71NW11GF1EW | AT45D041A-RC |
| ผู้ผลิต | Winbond Electronics | Microchip Technology | Winbond Electronics | Microchip Technology |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 130-FBGA (8x9) | 8-PDIP | 121-WFBGA (8x8) | 28-SOIC |
| ประเภทหน่วยความจำ | Non-Volatile, Volatile | Non-Volatile | Non-Volatile, Volatile | Non-Volatile |
| ขนาดหน่วยความจำ | 2Gbit (NAND), 1Gbit (LPDDR) | 512Kbit | 1Gbit (NAND), 512Mbit (LPDDR2) | 4Mbit |
| อินเตอร์เฟซหน่วยความจำ | - | I²C | - | SPI |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Tube | Tray | Tube |
| ชุด | - | - | - | - |
| องค์กรหน่วยความจำ | - | 64K x 8 | - | 264 Bytes x 2048 pages |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 130-VFBGA | 8-DIP (0.300", 7.62mm) | 121-WFBGA | 28-SOIC (0.342', 8.69mm Width) |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน | 1.7V ~ 1.95V | 1.8V ~ 3.6V | 1.7V ~ 1.95V | 4.5V ~ 5.5V |
| เทคโนโลยี | FLASH - NAND, DRAM - LPDDR | EEPROM | FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2 | FLASH |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Through Hole | Surface Mount | Surface Mount |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -40°C ~ 85°C (TA) | -40°C ~ 85°C (TA) | -40°C ~ 85°C (TA) | 0°C ~ 70°C (TC) |
| รูปแบบหน่วยความจำ | FLASH, RAM | EEPROM | FLASH, RAM | FLASH |
| เขียนวัฏจักรเวลา - คำ, หน้า | - | 10ms | - | 14ms |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | W71NW20 | AT24C512 | W71NW11 | AT45D041 |
W7100AWIZnetIC MCU 8BIT 64KB FLASH 100LQFPAT24C512-10PI-1.8Microchip TechnologyIC EEPROM 512KBIT I2C 8DIP
W71GL064CDA9Winbond Electronics CorporationW71NW11GF1EWWinbond ElectronicsIC FLASH RAM 1GBIT 121WFBGAAT45D041A-RCMicrochip TechnologyIC FLASH 4MBIT SPI 15MHZ 28SOICW71GL128CDA9Winbond Electronics Corporation
AT49F002N-70PCMicrochip TechnologyIC FLASH 2MBIT PARALLEL 32DIP
IS64WV6416BLL-15TLA3-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncIC SRAM 1MBIT PARALLEL 44TSOP II
MX25UM51345GXDI00MacronixMEMORY
24AA04H-I/STMicrochip TechnologyIC EEPROM 4KBIT I2C 8TSSOPW71NW11GE1EWWINBONDW71NW10GC1HWWinbond Electronics Corporation
MX25U1633FZUIMacronixIC FLASH 16MBIT SPI/QUAD 8USON
STK14C88-C45IInfineon TechnologiesIC NVSRAM 256KBIT PAR 32CDIPW71NW11GC1DWWinbond Electronics Corporation
S25FL064P0XBHIS30Infineon TechnologiesIC FLASH 64MBIT SPI/QUAD 24BGAW71NW10GC3DWWinbond Electronics CorporationW71NW10GE3FWWinbond ElectronicsIC FLASH RAM 1GBIT 400MHZ| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที