ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี W948D6FBHX6E
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Winbond Electronics - W948D6FBHX6E คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Winbond Electronics - W948D6FBHX6E
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Winbond Electronics Corporation | |
| เขียนวัฏจักรเวลา - คำ, หน้า | 15ns | |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน | 1.7V ~ 1.95V | |
| เทคโนโลยี | SDRAM - Mobile LPDDR | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 60-VFBGA (8x9) | |
| ชุด | - | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 60-TFBGA | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tray | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -25°C ~ 85°C (TC) |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| ประเภทหน่วยความจำ | Volatile | |
| ขนาดหน่วยความจำ | 256Mbit | |
| องค์กรหน่วยความจำ | 16M x 16 | |
| อินเตอร์เฟซหน่วยความจำ | Parallel | |
| รูปแบบหน่วยความจำ | DRAM | |
| ความถี่นาฬิกา | 166 MHz | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | W948D6 | |
| เวลาในการเข้าถึง | 5 ns |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Winbond Electronics W948D6FBHX6E
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | W948D6FBHX6E | W948D2FBJX6E | W9464G6KH-5I | W9464G6JH-5 |
| ผู้ผลิต | Winbond Electronics | Winbond Electronics | Winbond Electronics | Winbond Electronics |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน | 1.7V ~ 1.95V | 1.7V ~ 1.95V | 2.3V ~ 2.7V | 2.3V ~ 2.7V |
| รูปแบบหน่วยความจำ | DRAM | DRAM | DRAM | DRAM |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | W948D6 | W948D2 | W9464G6 | W9464G6 |
| อินเตอร์เฟซหน่วยความจำ | Parallel | Parallel | Parallel | Parallel |
| ความถี่นาฬิกา | 166 MHz | 166 MHz | 200 MHz | 200 MHz |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 60-TFBGA | 90-TFBGA | 66-TSSOP (0.400', 10.16mm Width) | 66-TSSOP (0.400', 10.16mm Width) |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 60-VFBGA (8x9) | 90-VFBGA (8x13) | 66-TSOP II | 66-TSOP II |
| เทคโนโลยี | SDRAM - Mobile LPDDR | SDRAM - Mobile LPDDR | SDRAM - DDR | SDRAM - DDR |
| เวลาในการเข้าถึง | 5 ns | 5 ns | 55 ns | 55 ns |
| ชุด | - | - | - | - |
| เขียนวัฏจักรเวลา - คำ, หน้า | 15ns | 15ns | 15ns | 15ns |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -25°C ~ 85°C (TC) | -25°C ~ 85°C (TC) | -40°C ~ 85°C (TA) | 0°C ~ 70°C (TA) |
| องค์กรหน่วยความจำ | 16M x 16 | 8M x 32 | 4M x 16 | 4M x 16 |
| ประเภทหน่วยความจำ | Volatile | Volatile | Volatile | Volatile |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tray | Tray | Tray | Tray |
| ขนาดหน่วยความจำ | 256Mbit | 256Mbit | 64Mbit | 64Mbit |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล W948D6FBHX6E PDF และเอกสาร Winbond Electronics สำหรับ W948D6FBHX6E - Winbond Electronics
W949D2BBAX7EWinbond Electronics CorporationW948D2FBJX6EWinbond ElectronicsIC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGAW9464G6KH-5IWinbond ElectronicsIC DRAM 64MBIT PAR 66TSOP IIW9464G6JH-5Winbond ElectronicsIC DRAM 64MBIT PAR 66TSOP IIW949D2DBJX5IWINBONDW947D6HBHX5IWinbond ElectronicsIC DRAM 128MBIT PAR 60VFBGAW949D2KBJX5IWinbond Electronics Corporation
W949D2KBJX5EWINBANDW948D6FBHX5EWinbond ElectronicsIC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGAW948D2FBJX5EWinbond ElectronicsIC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGAW949D2BBAX7CWinbond Electronics CorporationW947D6HBHX6EWinbond ElectronicsIC DRAM 128MBIT PAR 60VFBGAW948D6FBHX5IWinbond ElectronicsIC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGAW948D6KBHX6IWinbond ElectronicsIC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGAW948D6KBHX5EWINBONDW948D6KBHX6EWinbond ElectronicsIC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGAW948D6FBHX6IWinbond ElectronicsIC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGAW9464G6KH-5Winbond ElectronicsIC DRAM 64MBIT PAR 66TSOP II| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที