ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี W988D6FBGX7E
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Winbond Electronics - W988D6FBGX7E คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Winbond Electronics - W988D6FBGX7E
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Winbond Electronics Corporation | |
| เขียนวัฏจักรเวลา - คำ, หน้า | 15ns | |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน | 1.7V ~ 1.95V | |
| เทคโนโลยี | SDRAM - Mobile LPSDR | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 54-VFBGA (8x9) | |
| ชุด | - | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 54-TFBGA | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tray | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -25°C ~ 85°C (TC) |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| ประเภทหน่วยความจำ | Volatile | |
| ขนาดหน่วยความจำ | 256Mbit | |
| องค์กรหน่วยความจำ | 16M x 16 | |
| อินเตอร์เฟซหน่วยความจำ | Parallel | |
| รูปแบบหน่วยความจำ | DRAM | |
| ความถี่นาฬิกา | 133 MHz | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | W988D6 | |
| เวลาในการเข้าถึง | 5.4 ns |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Winbond Electronics W988D6FBGX7E
| คุณสมบัติสินค้า |  |
|
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | W988D6FBGX7E | W987D6HBGX6E | W9864G6KH-5 | W987D6HBGX7E |
| ผู้ผลิต | Winbond Electronics | Winbond Electronics | Winbond Electronics | Winbond Electronics |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | W988D6 | W987D6 | W9864G6 | W987D6 |
| เวลาในการเข้าถึง | 5.4 ns | 5.4 ns | 5 ns | 5.4 ns |
| เทคโนโลยี | SDRAM - Mobile LPSDR | SDRAM - Mobile LPSDR | SDRAM | SDRAM - Mobile LPSDR |
| อินเตอร์เฟซหน่วยความจำ | Parallel | Parallel | Parallel | Parallel |
| ประเภทหน่วยความจำ | Volatile | Volatile | Volatile | Volatile |
| ขนาดหน่วยความจำ | 256Mbit | 128Mbit | 64Mbit | 128Mbit |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| รูปแบบหน่วยความจำ | DRAM | DRAM | DRAM | DRAM |
| ความถี่นาฬิกา | 133 MHz | 166 MHz | 200 MHz | 133 MHz |
| เขียนวัฏจักรเวลา - คำ, หน้า | 15ns | 15ns | - | 15ns |
| องค์กรหน่วยความจำ | 16M x 16 | 8M x 16 | 4M x 16 | 8M x 16 |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tray | Tray | Tray | Tray |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน | 1.7V ~ 1.95V | 1.7V ~ 1.95V | 3V ~ 3.6V | 1.7V ~ 1.95V |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 54-TFBGA | 54-TFBGA | 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) | 54-TFBGA |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -25°C ~ 85°C (TC) | -25°C ~ 85°C (TC) | 0°C ~ 70°C (TA) | -25°C ~ 85°C (TC) |
| ชุด | - | - | - | - |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 54-VFBGA (8x9) | 54-VFBGA (8x9) | 54-TSOP II | 54-VFBGA (8x9) |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล W988D6FBGX7E PDF และเอกสาร Winbond Electronics สำหรับ W988D6FBGX7E - Winbond Electronics
W9864GZIH-6Winbond Electronics CorporationW987D6HBGX6EWinbond ElectronicsIC DRAM 128MBIT PAR 54VFBGAW988D6FBGX7Winbond Electronics CorporationW9864G6KH-5Winbond ElectronicsIC DRAM 64MBIT PAR 54TSOP IIW987D6HBGX7EWinbond ElectronicsIC DRAM 128MBIT PAR 54VFBGAW988D6FBGX6EWinbond ElectronicsIC DRAM 256MBIT PAR 54VFBGAW988D6FBGX7IWinbond ElectronicsIC DRAM 256MBIT LVCMOS 54VFBGAW987D6HBGX6IWinbond ElectronicsIC DRAM 128MBIT PAR 54VFBGA
W9864G6JT-6IWinbond ElectronicsIC DRAM 64MBIT LVTTL 54TFBGAW989D6CBGX6EWinbond Electronics CorporationW9864G6KH-6IWinbond ElectronicsIC DRAM 64MBIT PAR 54TSOP II
W988D2FBJX6IWinbond ElectronicsIC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGAW9864G6JH-7Winbond Electronics CorporationW9864G6KH-6 DDRWinbond Electronics CorporationW9864G6JH-6IWinbond ElectronicsIC DRAM 64MBIT PAR 54TSOP II
W9864G6XH-6WINBONBW989D6DBGX6IWinbond ElectronicsIC DRAM 512MBIT PAR 54VFBGAW9864G6KH-6Winbond ElectronicsIC DRAM 64MBIT PAR 54TSOP II| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที