ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี 1N5624
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Harris Corporation - 1N5624 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Harris Corporation - 1N5624
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Harris Corporation | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1 V @ 3 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 200 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SOD-64 | |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | SOD-64, Axial | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 175°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 5 µA @ 200 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 3A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | 40pF @ 4V, 1MHz |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Harris Corporation 1N5624
| คุณสมบัติสินค้า | |
 |
|
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | 1N5624 | 1N5626-TR | 1N5624 | 1N5617 |
| ผู้ผลิต | Harris Corporation | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | NTE Electronics, Inc | Microchip Technology |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1 V @ 3 A | 1 V @ 3 A | 1 V @ 3 A | 1.6 V @ 3 A |
| เทคโนโลยี | Standard | Avalanche | Standard | Standard |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 200 V | 600 V | 200 V | 400 V |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | 40pF @ 4V, 1MHz | 60pF @ 4V, 1MHz | 40pF @ 4V, 1MHz | 35pF @ 12V, 1MHz |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Tape & Reel (TR) | Bag | Bulk |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 3A | 3A | 3A | 1A |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SOD-64 | SOD-64 | SOD-64 | A, Axial |
| ชุด | - | - | - | - |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 175°C | -55°C ~ 175°C | -65°C ~ 175°C | -65°C ~ 175°C |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 5 µA @ 200 V | 1 µA @ 600 V | 5 µA @ 200 V | 500 nA @ 400 V |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | SOD-64, Axial | SOD-64, Axial | SOD-64, Axial | A, Axial |
1N5629AMicrochip TechnologyTVS DIODE 5.8VWM 10.5VC DO131N5626-TRVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE AVALANCHE 600V 3A SOD641N5624NTE Electronics, IncDIODE GEN PURP 200V 3A SOD641N5617Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL1N5630AMicrochip TechnologyTVS DIODE 6.4VWM 11.3VC DO131N5618Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL
1N5620USJANTXMicrosemi1N5622Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL1N5615Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL1N5619Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL
1N5552Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 600V 3A AXIAL
1N5630ASolid State Inc.TVS DIODE D0-13
1N5624GPElectro-Films (EFI) / Vishay
1N5631AMicrochip TechnologyTVS DIODE 7.02VWM 12.1VC DO131N5557Microchip TechnologyTVS DIODE 49VWM 78.5VC DO131N5615GP-E3-4Electro-Films (EFI) / Vishay1N5627NTE Electronics, IncDIODE GEN PURP 800V 3A SOD641N5629ASolid State Inc.TVS DIODE D0-13| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที