ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี 1N5618
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Microchip Technology - 1N5618 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Microchip Technology - 1N5618
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Microchip Technology | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.3 V @ 3 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 600 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | A, Axial | |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 2 µs |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | A, Axial | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 200°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 500 nA @ 600 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 1A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 1N5618 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Microchip Technology 1N5618
| คุณสมบัติสินค้า |  |
|
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | 1N5618 | 1N5619 | 1N5552 | 1N5626-TR |
| ผู้ผลิต | Microchip Technology | Microchip Technology | Solid State Inc. | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Bulk | Box | Tape & Reel (TR) |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | A, Axial | A, Axial | Axial | SOD-64 |
| ชุด | - | - | - | - |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | A, Axial | A, Axial | Axial | SOD-64, Axial |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 600 V | 600 V | 600 V | 600 V |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 1N5618 | 1N5619 | - | 1N5626 |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 1A | 1A | 3A | 3A |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | 25pF @ 12V, 1MHz | 100pF @ 12V, 1MHz | 60pF @ 4V, 1MHz |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 500 nA @ 600 V | 500 nA @ 600 V | 1 µA @ 600 V | 1 µA @ 600 V |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 2 µs | 250 ns | 2 µs | 7.5 µs |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.3 V @ 3 A | 1.6 V @ 3 A | 1 V @ 3 A | 1 V @ 3 A |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 200°C | -65°C ~ 175°C | -65°C ~ 200°C | -55°C ~ 175°C |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard | Standard | Avalanche |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล 1N5618 PDF และเอกสาร Microchip Technology สำหรับ 1N5618 - Microchip Technology
1N5629AMicrochip TechnologyTVS DIODE 5.8VWM 10.5VC DO131N5619Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL1N5552Solid State Inc.DIODE GEN PURP 600V 3A AXIAL
1N5624GPElectro-Films (EFI) / Vishay1N5626-TRVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE AVALANCHE 600V 3A SOD64
1N5620USJANTXMicrosemi1N5615Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL
1N5557Microchip TechnologyTVS DIODE 49VWM 78.5VC DO131N5551Solid State Inc.DIODE GEN PURP 400V 3A AXIAL
1N5552Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 600V 3A AXIAL1N5627NTE Electronics, IncDIODE GEN PURP 800V 3A SOD641N5622Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL1N5624NTE Electronics, IncDIODE GEN PURP 200V 3A SOD641N5551Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 400V 3A AXIAL1N5615GP-E3-4Electro-Films (EFI) / Vishay
1N5525BUR-1Microchip TechnologyZENER DIODE1N5624Harris CorporationDIODE GEN PURP 200V 3A SOD641N5617Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที