ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี 1N4004G
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - 1N4004G คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - 1N4004G
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.1 V @ 1 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 400 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | Axial | |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-204AL, DO-41, Axial |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 175°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 10 µA @ 400 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 1A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 1N4004 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi 1N4004G
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | 1N4004G | 1N4004G | 1N4004-TP | 1N4004G |
| ผู้ผลิต | onsemi | SMC Diode Solutions | Micro Commercial Co | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 175°C | -65°C ~ 175°C | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | 8pF @ 4V, 1MHz | 15pF @ 4V, 1MHz | 6pF @ 4V, 1MHz |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 400 V | 400 V | 400 V | 400 V |
| ชุด | - | - | - | - |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard | Standard | Standard |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | Axial | DO-41 | DO-41 | DO-204AL (DO-41) |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 1N4004 | 1N400 | 1N4004 | - |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 10 µA @ 400 V | 5 µA @ 400 V | 5 µA @ 400 V | 2.5 µA @ 400 V |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 1A | 1A | 1A | 1A |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-204AL, DO-41, Axial | DO-204AL, DO-41, Axial | DO-204AL, DO-41, Axial | DO-204AL, DO-41, Axial |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Cut Tape (CT) |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.1 V @ 1 A | 1 V @ 1 A | 1.1 V @ 1 A | 1.1 V @ 1 A |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล 1N4004G PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ 1N4004G - onsemi
1N4004FSHIKUES1N4004GSMC Diode SolutionsDIODE GEN PURP 400V 1A DO411N4004-TPMicro Commercial CoDIODE GEN PURP 400V 1A DO411N4004GYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDIODE GEN PURP 400V 1A DO204AL1N4004RLonsemiDIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL1N4004GPonsemiDIODE GEN PURP 400V 1A DO411N4004RLGonsemiDIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL1N4004S T/P
1N4004LLITEON1N4004S1N4004F M4PLINGSEMIC1N4004G M4SHIKUES1N4004WRectron USADIODE GEN 1A 400V SOD-123F1N4004GTaiwan Semiconductor CorporationDIODE GEN PURP 400V 1A DO204AL
1N4004/M4TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Stora1N4004LT3G/1N4004TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Stora1N4004/S07G
1N4004ALAPIS Technology| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที