ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี 1N4004G
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ SMC Diode Solutions - 1N4004G คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ SMC Diode Solutions - 1N4004G
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Sangdest Microelectronics / Nanjing (SMC Diode Solutions) | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1 V @ 1 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 400 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-41 | |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-204AL, DO-41, Axial |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 175°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 5 µA @ 400 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 1A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | 8pF @ 4V, 1MHz | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 1N400 |
| คุณลักษณะ | ลักษณะ |
|---|---|
| สถานภาพ RoHS | |
| ระดับความไวต่อความชื้น (MSL) | 1 (Unlimited) |
| เข้าถึงสถานะ | REACH Affected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ SMC Diode Solutions 1N4004G
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | 1N4004G | 1N4004GP | 1N4004G | 1N4004RLG |
| ผู้ผลิต | SMC Diode Solutions | onsemi | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd | onsemi |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard | Standard | Standard |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 1N400 | 1N4004 | - | 1N4004 |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1 V @ 1 A | 1.1 V @ 1 A | 1.1 V @ 1 A | 1.1 V @ 1 A |
| ชุด | - | - | - | - |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 400 V | 400 V | 400 V | 400 V |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-204AL, DO-41, Axial | DO-204AL, DO-41, Axial | DO-204AL, DO-41, Axial | DO-204AL, DO-41, Axial |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Cut Tape (CT) | Tape & Reel (TR) |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 5 µA @ 400 V | 10 µA @ 400 V | 2.5 µA @ 400 V | 10 µA @ 400 V |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | 8pF @ 4V, 1MHz | 15pF @ 4V, 1MHz | 6pF @ 4V, 1MHz | - |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 1A | 1A | 1A | 1A |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 175°C | -55°C ~ 175°C | -55°C ~ 150°C | -65°C ~ 175°C |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-41 | DO-41 | DO-204AL (DO-41) | Axial |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล 1N4004G PDF และเอกสาร SMC Diode Solutions สำหรับ 1N4004G - SMC Diode Solutions
1N4004GPonsemiDIODE GEN PURP 400V 1A DO41
1N4004S1N4004GYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDIODE GEN PURP 400V 1A DO204AL
1N4004ALAPIS Technology
1N4004LT3G/1N4004TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Stora1N4004FSHIKUES1N4004RLGonsemiDIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL1N4004/S07G
1N4004-TPMicro Commercial CoDIODE GEN PURP 400V 1A DO411N4004F M4PLINGSEMIC1N4004GTaiwan Semiconductor CorporationDIODE GEN PURP 400V 1A DO204AL
1N4004LLITEON1N4004G M4SHIKUES1N4004-TRectron USADIODE GEN PURP 1A DO411N4004/M4TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Stora1N4004GonsemiDIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL1N4004RLonsemiDIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL1N4004-TBGOODARK| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? โปรด เพิ่มลงในรถเข็น เราจะติดต่อคุณทันที