ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี 1N4006FFG
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - 1N4006FFG คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - 1N4006FFG
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.1 V @ 1 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 800 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | Axial | |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-204AL, DO-41, Axial |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 175°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 10 µA @ 800 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 1A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 1N4006 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi 1N4006FFG
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | 1N4006FFG | 1N4006G | 1N4006G | 1N4007 |
| ผู้ผลิต | onsemi | SMC Diode Solutions | onsemi | EIC SEMICONDUCTOR INC. |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard | Standard | Standard |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | 8pF @ 4V, 1MHz | - | 15pF @ 4V, 1MHz |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 1A | 1A | 1A | 1A |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 800 V | 800 V | 800 V | 1000 V |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | Axial | DO-41 | Axial | DO-41 |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-204AL, DO-41, Axial | DO-204AL, DO-41, Axial | DO-204AL, DO-41, Axial | DO-204AL, DO-41, Axial |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 175°C | -65°C ~ 175°C | -65°C ~ 175°C | -65°C ~ 175°C |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.1 V @ 1 A | 1 V @ 1 A | 1.1 V @ 1 A | 1.1 V @ 1 A |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Bulk | Box |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 1N4006 | 1N400 | 1N4006 | - |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 10 µA @ 800 V | 5 µA @ 800 V | 10 µA @ 800 V | 5 µA @ 1000 V |
| ชุด | - | - | - | - |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล 1N4006FFG PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ 1N4006FFG - onsemi
1N4006GSMC Diode SolutionsDIODE GEN PURP 800V 1A DO411N4006GonsemiDIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL1N4007EIC SEMICONDUCTOR INC.DIODE GEN PURP 1KV 1A DO411N4006onsemiDIODE GEN PURP 800V 1A DO411N4007NTE Electronics, IncDIODE GEN PURP 1KV 1A DO41
1N4005GT-99Diodes Incorporated1N4007Diotec SemiconductorDIODE STD DO-41 1000V 1A1N4006Diotec SemiconductorDIODE GEN PURP 800V 1A DO411N4006G-T-S-NTRectron USA1N4006-E3/54Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL1N4006GTaiwan Semiconductor CorporationDIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL1N4007onsemiDIODE GEN PURP 1KV 1A DO411N4006NTE Electronics, IncDIODE GEN PURP 800V 1A DO411N4007Rectron USADIODE GEN PURP 1KV 1A DO411N4006SMC Diode SolutionsDIODE GEN PURP 800V 1A DO411N4005RLGonsemiDIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL1N4006-E3/73Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL
1N4006Micro Commercial CoDIODE GEN PURP 800V 1A DO41| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที