ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี 1N4007
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ EIC SEMICONDUCTOR INC. - 1N4007 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ EIC SEMICONDUCTOR INC. - 1N4007
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | EIC Semiconductor, Inc. | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.1 V @ 1 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 1000 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-41 | |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 2 µs |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-204AL, DO-41, Axial | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Box | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 175°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 5 µA @ 1000 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 1A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | 15pF @ 4V, 1MHz |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4007
| คุณสมบัติสินค้า | |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | 1N4007 | 1N4007 | 1N4007 | 1N4007 |
| ผู้ผลิต | EIC SEMICONDUCTOR INC. | onsemi | Micro Commercial Co | Diotec Semiconductor |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | 15pF @ 4V, 1MHz | 15pF @ 4V, 1MHz | - | - |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 175°C | -55°C ~ 175°C | -55°C ~ 150°C | -50°C ~ 175°C |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 1000 V | 1000 V | 1000 V | 1000 V |
| ชุด | - | - | - | - |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 2 µs | - | 2 µs | 1.5 µs |
| บรรจุุภัณฑ์ | Box | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-204AL, DO-41, Axial | DO-204AL, DO-41, Axial | DO-204AL, DO-41, Axial | DO-204AC, DO-41, Axial |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.1 V @ 1 A | 1.1 V @ 1 A | 1.1 V @ 1 A | 1.1 V @ 1 A |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 1A | 1A | 1A | 1A |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-41 | DO-41 | DO-41 | DO-41/DO-204AC |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard | Standard | Standard |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 5 µA @ 1000 V | 10 µA @ 1000 V | 5 µA @ 1000 V | 5 µA @ 1000 V |
1N4007onsemiDIODE GEN PURP 1KV 1A DO411N4007Micro Commercial CoDIODE GEN PURP 1KV 1A DO411N4007Diotec SemiconductorDIODE STD DO-41 1000V 1A
1N4006GSMC Diode SolutionsDIODE GEN PURP 800V 1A DO411N4006GTaiwan Semiconductor CorporationDIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL1N4006_AY_10001PANJIT1N4006-E3/54Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL1N4006G-T-S-NTRectron USA1N4007 M7STARSEA1N4007Yangjie TechnologyDIODE GEN PURP 1KV 1A DO411N4006GonsemiDIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL1N4007SMC Diode SolutionsDIODE GEN PURP 1KV 1A DO411N4006-E3/73Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL1N4007 M7 SMAMIC1N4006FFGonsemiDIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL1N4007Rectron USADIODE GEN PURP 1KV 1A DO411N4007NTE Electronics, IncDIODE GEN PURP 1KV 1A DO411N4007 MIC DIPMIC| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที