ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี 1N5235B
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - 1N5235B คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - 1N5235B
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| แรงดันไฟฟ้า - ซีเนอร์ (Nom) (Vz) | 6.8 V | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.2 V @ 200 mA | |
| ความอดทน | ±5% | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-35 | |
| ชุด | - | |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 500 mW |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-204AH, DO-35, Axial | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -65°C ~ 200°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ความต้านทาน (สูงสุด) (ZZT) | 5 Ohms | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 3 µA @ 5 V | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 1N5235 |
| คุณลักษณะ | ลักษณะ |
|---|---|
| สถานภาพ RoHS | |
| ระดับความไวต่อความชื้น (MSL) | Not Applicable |
| เข้าถึงสถานะ | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi 1N5235B
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | 1N5235B | 1N5236B | 1N5235B | 1N5235B |
| ผู้ผลิต | onsemi | Taiwan Semiconductor Corporation | SMC Diode Solutions | NTE Electronics, Inc |
| ความอดทน | ±5% | ±5% | ±5% | ±0.5% |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 500 mW | 500 mW | 500 mW | 500 mW |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 3 µA @ 5 V | 3 µA @ 6 V | 3 µA @ 4.8 V | 3 µA @ 5 V |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -65°C ~ 200°C | 200°C (TJ) | 200°C | -65°C ~ 200°C |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 1N5235 | 1N5236 | - | - |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-35 | DO-35 | DO-35 | - |
| ชุด | - | - | - | - |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-204AH, DO-35, Axial | DO-204AH, DO-35, Axial | DO-204AH, DO-35, Axial | DO-204AH, DO-35, Axial |
| ความต้านทาน (สูงสุด) (ZZT) | 5 Ohms | 6 Ohms | 5 Ohms | 5 Ohms |
| แรงดันไฟฟ้า - ซีเนอร์ (Nom) (Vz) | 6.8 V | 7.5 V | 6.8 V | 6.8 V |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Tape & Reel (TR) | Tape & Box (TB) | Bag |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.2 V @ 200 mA | 1.1 V @ 200 mA | 1.1 V @ 200 mA | - |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล 1N5235B PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ 1N5235B - onsemi
1N5236BTaiwan Semiconductor CorporationDO-35, 500MW, 5%, SMALL SIGNAL Z1N5235BSMC Diode SolutionsDIODE ZENER 6.8V 500MW DO35
1N5234B-APMicro Commercial Components (MCC)1N5235BNTE Electronics, IncDIODE ZENER 6.8V 500MW1N5234BTRonsemiDIODE ZENER 6.2V 500MW DO35
1N5235BMicrochip TechnologyDIODE ZENER1N5234BNTE Electronics, IncDIODE ZENER 6.2V 500MW
1N5234BRLAMI Semiconductor/onsemi1N5236BMicrochip TechnologyDIODE ZENER1N5235BTaiwan Semiconductor CorporationDO-35, 500MW, 5%, SMALL SIGNAL Z1N5235BRLonsemiDIODE ZENER 6.8V 0.5W 5% UNI1N5234BonsemiDIODE ZENER 6.2V 500MW DO35
1N5235BTAFairchild SemiconductorDIODE ZENER DO351N5235Microchip TechnologyVOLTAGE REGULATOR1N5235SMC Diode SolutionsDIODE ZENER 6.8V 500MW DO351N5234BTRFairchild SemiconductorDIODE ZENER 6.2V 500MW DO351N5235BFairchild SemiconductorZENER DIODE, 6.8V, 5%, 0.5W, UNI
1N5235B-TRVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE ZENER 6.8V 500MW DO35| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? โปรด เพิ่มลงในรถเข็น เราจะติดต่อคุณทันที