ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี 1N5235B-TR
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Vishay General Semiconductor - Diodes Division - 1N5235B-TR คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Vishay General Semiconductor - Diodes Division - 1N5235B-TR
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Vishay General Semiconductor – Diodes Division | |
| แรงดันไฟฟ้า - ซีเนอร์ (Nom) (Vz) | 6.8 V | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.1 V @ 200 mA | |
| ความอดทน | ±5% | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-35 (DO-204AH) | |
| ชุด | - | |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 500 mW |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-204AH, DO-35, Axial | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | - | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ความต้านทาน (สูงสุด) (ZZT) | 5 Ohms | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 3 µA @ 5 V | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 1N5235 |
| คุณลักษณะ | ลักษณะ |
|---|---|
| สถานภาพ RoHS | |
| ระดับความไวต่อความชื้น (MSL) | 1 (Unlimited) |
| เข้าถึงสถานะ | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N5235B-TR
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | 1N5235B-TR | 1N5236B | 1N5236B | 1N5234BTR |
| ผู้ผลิต | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Microchip Technology | NTE Electronics, Inc | onsemi |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-35 (DO-204AH) | DO-35 (DO-204AH) | - | DO-35 |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 500 mW | 500 mW | 500 mW | 500 mW |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.1 V @ 200 mA | 1.5 V @ 200 mA | - | 1.2 V @ 200 mA |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 3 µA @ 5 V | 3 µA @ 6 V | 3 µA @ 6 V | 5 µA @ 4 V |
| ชุด | - | - | - | - |
| ความอดทน | ±5% | ±5% | ±0.5% | ±5% |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-204AH, DO-35, Axial | DO-204AH, DO-35, Axial | DO-204AH, DO-35, Axial | DO-204AH, DO-35, Axial |
| อุณหภูมิในการทำงาน | - | -65°C ~ 175°C (TJ) | -65°C ~ 200°C | -65°C ~ 200°C |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 1N5235 | 1N5236 | - | 1N5234 |
| แรงดันไฟฟ้า - ซีเนอร์ (Nom) (Vz) | 6.8 V | 7.5 V | 7.5 V | 6.2 V |
| ความต้านทาน (สูงสุด) (ZZT) | 5 Ohms | 6 Ohms | 6 Ohms | 7 Ohms |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Bulk | Bag | Tape & Reel (TR) |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล 1N5235B-TR PDF และเอกสาร Vishay General Semiconductor - Diodes Division สำหรับ 1N5235B-TR - Vishay General Semiconductor - Diodes Division
1N5236BMicrochip TechnologyDIODE ZENER1N5236BNTE Electronics, IncDIODE ZENER 7.5V 500MW1N5234BTRonsemiDIODE ZENER 6.2V 500MW DO35
1N5235SMC Diode SolutionsDIODE ZENER 6.8V 500MW DO35
1N5235BTAFairchild SemiconductorDIODE ZENER DO35
1N5235BRLonsemiDIODE ZENER 6.8V 0.5W 5% UNI
1N5236B-TDiodes IncorporatedDIODE ZENER 7.5V 500MW DO351N5235BMicrochip TechnologyDIODE ZENER
1N5235BTaiwan Semiconductor CorporationDO-35, 500MW, 5%, SMALL SIGNAL Z1N5235Microchip TechnologyVOLTAGE REGULATOR1N5235BSMC Diode SolutionsDIODE ZENER 6.8V 500MW DO351N5236BonsemiDIODE ZENER 7.5V 500MW DO351N5235BNTE Electronics, IncDIODE ZENER 6.8V 500MW1N5236BTaiwan Semiconductor CorporationDO-35, 500MW, 5%, SMALL SIGNAL Z1N5236BSMC Diode SolutionsDIODE ZENER 7.5V 500MW DO351N5235BonsemiDIODE ZENER 6.8V 500MW DO351N5236BFairchild SemiconductorZENER DIODE, 7.5V, 5%, 0.5W, UNI1N5235BFairchild SemiconductorZENER DIODE, 6.8V, 5%, 0.5W, UNI| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? โปรด เพิ่มลงในรถเข็น เราจะติดต่อคุณทันที