ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี 1N5408G
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - 1N5408G คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - 1N5408G
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1 V @ 3 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 1000 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | Axial | |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-201AA, DO-27, Axial |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 150°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 10 µA @ 1000 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 3A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 1N5408 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi 1N5408G
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | 1N5408G | 1N5408-E3/54 | 1N5408G | 1N5408G |
| ผู้ผลิต | onsemi | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | SMC Diode Solutions | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 3A | 3A | 3A | 3A |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-201AA, DO-27, Axial | DO-201AD, Axial | DO-201AD, Axial | DO-201AA, DO-27, Axial |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 150°C | -50°C ~ 150°C | -65°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C |
| ชุด | - | - | - | - |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 1N5408 | 1N5408 | 1N540 | - |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | Axial | DO-201AD | DO-201AD | DO-201AD (DO-27) |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Tape & Reel (TR) | Cut Tape (CT) | Cut Tape (CT) |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1 V @ 3 A | 1.2 V @ 3 A | 1.1 V @ 3 A | 1 V @ 3 A |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 1000 V | 1000 V | 1000 V | 1000 V |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard | Standard | Standard |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | 30pF @ 4V, 1MHz | 30pF @ 4V, 1MHz | 40pF @ 4V, 1MHz |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 10 µA @ 1000 V | 5 µA @ 1000 V | 5 µA @ 1000 V | 2.5 µA @ 1000 V |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล 1N5408G PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ 1N5408G - onsemi
1N5408_AY_10001-PECPANJIT
1N5408-05Taiwan Semiconductor1N5408-E3/54Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD1N5408GSMC Diode SolutionsDIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD1N5408G_AY_00001PANJIT1N5408GYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD
1N5408-E3Electro-Films (EFI) / Vishay
1N5408Fairchild SemiconductorDIODE GEN PURP 1V 3A DO15
1N5408GTaiwan Semiconductor CorporationDIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD1N5408NTE Electronics, IncDIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD
1N5408 S3MTAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Stora
1N5408RLGonsemiDIODE GEN PURP 1KV 3A AXIAL
1N5408-TDiodes IncorporatedDIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD1N5408-BDiodes IncorporatedDIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD1N5408SMC Diode SolutionsDIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD1N5408RLonsemiDIODE GEN PURP 1KV 3A AXIAL1N5408-E3/73Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD
1N5408G_HFLITEON| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที