ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี 1N5408G
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - 1N5408G คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - 1N5408G
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1 V @ 3 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 1000 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | Axial | |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-201AA, DO-27, Axial |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 150°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 10 µA @ 1000 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 3A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 1N5408 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi 1N5408G
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | 1N5408G | 1N5408RL | 1N5408G | 1N5408 |
| ผู้ผลิต | onsemi | onsemi | Taiwan Semiconductor Corporation | NTE Electronics, Inc |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 3A | 3A | 3A | 3A |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-201AA, DO-27, Axial | DO-201AA, DO-27, Axial | DO-201AD, Axial | DO-201AD, Axial |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 150°C | -65°C ~ 170°C | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C |
| ชุด | - | - | - | - |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 1N5408 | 1N5408 | - | - |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | Axial | Axial | DO-201AD | DO-201AD |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Bag |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1 V @ 3 A | 1 V @ 3 A | 1 V @ 3 A | 1.2 V @ 3 A |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 1000 V | 1000 V | 1000 V | 1000 V |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard | Standard | Standard |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | - | 25pF @ 4V, 1MHz | 30pF @ 4V, 1MHz |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 10 µA @ 1000 V | 10 µA @ 1000 V | 5 µA @ 1000 V | 5 µA @ 1000 V |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล 1N5408G PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ 1N5408G - onsemi
1N5408RLonsemiDIODE GEN PURP 1KV 3A AXIAL1N5408GTaiwan Semiconductor CorporationDIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD1N5408G_AY_00001PANJIT1N5408NTE Electronics, IncDIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD
1N5408Fairchild SemiconductorDIODE GEN PURP 1V 3A DO15
1N5408-E3/54Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD
1N5408-BDiodes IncorporatedDIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD1N5408TBKEL
1N5408-05Taiwan Semiconductor
1N5408GSMC Diode SolutionsDIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD
1N5408G_HFLITEON
1N5408-E3Electro-Films (EFI) / Vishay
1N5408 S3MTAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Stora1N5408-E3/73Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD1N5408_AY_10001-PECPANJIT1N5408GYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD1N5408-TDiodes IncorporatedDIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD1N5408RLGonsemiDIODE GEN PURP 1KV 3A AXIAL| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? โปรด เพิ่มลงในรถเข็น เราจะติดต่อคุณทันที