ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี 1N5408RL
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - 1N5408RL คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - 1N5408RL
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1 V @ 3 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 1000 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | Axial | |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-201AA, DO-27, Axial |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 170°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 10 µA @ 1000 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 3A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 1N5408 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi 1N5408RL
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | 1N5408RL | 1N5416 | 1N5417-TAP | 1N5408G |
| ผู้ผลิต | onsemi | Microchip Technology | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 3A | 3A | 3A | 3A |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 1000 V | 100 V | 200 V | 1000 V |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | Axial | B, Axial | SOD-64 | DO-201AD (DO-27) |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 1N5408 | 1N5416 | 1N5417 | - |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 170°C | -65°C ~ 175°C | -55°C ~ 175°C | -55°C ~ 150°C |
| ชุด | - | - | - | - |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | - | - | 40pF @ 4V, 1MHz |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 10 µA @ 1000 V | 1 µA @ 100 V | 1 µA @ 200 V | 2.5 µA @ 1000 V |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard | Avalanche | Standard |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1 V @ 3 A | 1.5 V @ 9 A | 1.5 V @ 9 A | 1 V @ 3 A |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-201AA, DO-27, Axial | B, Axial | SOD-64, Axial | DO-201AA, DO-27, Axial |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Bulk | Tape & Box (TB) | Cut Tape (CT) |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล 1N5408RL PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ 1N5408RL - onsemi
1N5416Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL
1N5417-E3/54Electro-Films (EFI) / Vishay1N5417-TAPVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE AVALANCHE 200V 3A SOD641N5408-E3Electro-Films (EFI) / Vishay1N5408GYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD1N5408TBKEL1N5408-E3/73Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD
1N540GGAMI Semiconductor/onsemi1N5408_AY_10001-PECPANJIT1N5408G_AY_00001PANJIT
1N5408GSMC Diode SolutionsDIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD1N5408RLGonsemiDIODE GEN PURP 1KV 3A AXIAL
1N5408G_HFLITEON1N5408GonsemiDIODE GEN PURP 1KV 3A AXIAL
1N5418Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 400V 3A B SQ-MELF
1N5408-TDiodes IncorporatedDIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD
1N5408GTaiwan Semiconductor CorporationDIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD1N5408-E3/54Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที