ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี 1N5822G
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - 1N5822G คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - 1N5822G
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 525 mV @ 3 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 40 V | |
| เทคโนโลยี | Schottky | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | Axial | |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-201AA, DO-27, Axial |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 125°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 2 mA @ 40 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 3A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 1N5822 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi 1N5822G
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | 1N5822G | 1N5824 | 1N5824 | 1N5822-T |
| ผู้ผลิต | onsemi | Microchip Technology | Solid State Inc. | Diodes Incorporated |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Bulk | Bulk | Tape & Reel (TR) |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 525 mV @ 3 A | 370 mV @ 5 A | 370 mV @ 5 A | 525 mV @ 3 A |
| ชุด | - | - | - | - |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 1N5822 | - | - | 1N5822 |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 125°C | -65°C ~ 125°C | -65°C ~ 125°C | -65°C ~ 150°C |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | - | - | - |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 3A | 5A | 15A | 3A |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | Axial | Axial | Axial | DO-201AD |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 40 V | 30 V | 30 V | 40 V |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 2 mA @ 40 V | 10 mA @ 30 V | 10 mA @ 30 V | 2 mA @ 40 V |
| เทคโนโลยี | Schottky | Schottky | Schottky | Schottky |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-201AA, DO-27, Axial | Axial | Axial | DO-201AD, Axial |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล 1N5822G PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ 1N5822G - onsemi
1N5822/SS34TOSHIBA/GC1N5824Microchip TechnologyDIODE SCHOTTKY 30V 5A AXIAL1N5824Solid State Inc.DIODE SCHOTTKY 30V 15A AXIAL1N5822-DS24WTOSHIBA/GC
1N5822-E3Electro-Films (EFI) / Vishay1N5822-TDiodes IncorporatedDIODE SCHOTTKY 40V 3A DO201AD
1N5822-E3/73Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE SCHOTTKY 40V 3A DO201AD1N5822/SS24TOSHIBA/GC
1N5822/B34AMI Semiconductor/onsemi1N5822-DS26WTOSHIBA/GC1N5822-E3/54Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE SCHOTTKY 40V 3A DO201AD1N5822RLGonsemiDIODE SCHOTTKY 40V 3A AXIAL1N5822_AY_10001PANJIT1N5822RLonsemiDIODE SCHOTTKY 40V 3A AXIAL1N5822_AY_10001-PECPANJIT1N5822GMicrochip TechnologyDIODE SCHOTTKY B1N5822USMicrochip TechnologyDIODE SCHOTTKY 40V 3A B SQ-MELF
1N5822RLSTMicroelectronicsDIODE SCHOTTKY 40V 3A DO201AD| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที