ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี 1N5822-E3/54
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Vishay General Semiconductor - Diodes Division - 1N5822-E3/54 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Vishay General Semiconductor - Diodes Division - 1N5822-E3/54
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Vishay General Semiconductor – Diodes Division | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 525 mV @ 3 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 40 V | |
| เทคโนโลยี | Schottky | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-201AD | |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-201AD, Axial |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 125°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 2 mA @ 40 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 3A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 1N5822 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N5822-E3/54
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | 1N5822-E3/54 | 1N5822G | 1N5822RL | 1N5822RL |
| ผู้ผลิต | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Microchip Technology | onsemi | STMicroelectronics |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 525 mV @ 3 A | - | 525 mV @ 3 A | 525 mV @ 3 A |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 2 mA @ 40 V | - | 2 mA @ 40 V | 2 mA @ 40 V |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Bulk | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 1N5822 | - | 1N5822 | 1N5822 |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | - | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| เทคโนโลยี | Schottky | Schottky | Schottky | Schottky |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-201AD, Axial | Axial | DO-201AA, DO-27, Axial | DO-201AD, Axial |
| ชุด | - | - | - | - |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | - | - | - |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 125°C | - | -65°C ~ 125°C | 150°C (Max) |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 3A | - | 3A | 3A |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-201AD | B | Axial | DO-201AD |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 40 V | - | 40 V | 40 V |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล 1N5822-E3/54 PDF และเอกสาร Vishay General Semiconductor - Diodes Division สำหรับ 1N5822-E3/54 - Vishay General Semiconductor - Diodes Division
1N5822/SS34TOSHIBA/GC
1N5822 SS34TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Stora1N5822GMicrochip TechnologyDIODE SCHOTTKY B1N5822-DS26WTOSHIBA/GC1N5822(1.0MM)MIC1N5822/SS24TOSHIBA/GC1N5822RLonsemiDIODE SCHOTTKY 40V 3A AXIAL1N5822-DS24WTOSHIBA/GC1N5822RLSTMicroelectronicsDIODE SCHOTTKY 40V 3A DO201AD1N5822/B34AMI Semiconductor/onsemi
1N5822-BDiodes IncorporatedDIODE SCHOTTKY 40V 3A DO201AD
1N5822-E3Electro-Films (EFI) / Vishay1N5822GonsemiDIODE SCHOTTKY 40V 3A AXIAL1N5822(TE85L)TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Stora1N5822 SS24TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Stora1N5822-TDiodes IncorporatedDIODE SCHOTTKY 40V 3A DO201AD
1N5822-E3/73Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE SCHOTTKY 40V 3A DO201AD1N5822(SS34)TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Stora| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที